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（请给出正确答案）
已知MOSFET的下列参数：L=10μm，Z=300μm，μp=230cm2/(V·s)和C0=2.9×10-8F/cm2．如果VTH=-3.1V．计算VG=-4V，和VG=-8V时的饱和漏电流IDS．
答案
更多“已知MOSFET的下列参数：L=10μm，Z=300μm，μp=230cm2/（V·s)和C0=2.9×10-8F/cm2．如果VTH=-3.1V．计算VG=-4V，和VG=”相关的问题
第1题
已知晶体的全部参数，请确定如图所示皮尔斯晶体振荡器中单MOSFET的跨导值(或者直流偏置)。
第2题
用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2，VTH=3V。若输入信号VI=100mV时，要求输出电压Vo=60mV，问此时应给FET加多大的栅极电压VG？
第3题
已知某小水库F=40km2，L=16.6km，J=0.028，μ=9.0mm/h，m=1.2，n=0.7，从最大24h暴雨参数等值线图上查得统计参数值，并推算百年一遇的最大24h暴雨量为H24.1%=282.8mm，用中国水科院法推求设计洪峰流量。
提示：
第4题
第5题
一长度为200m的无损耗架空线，其原参数为L0=2×10-6H/m，C0=5.55×10-12F/m，波长λ=60m。试求终端接一个L=10×10-6H的电感时，电压波和电流波距终端最近的波腹的位置。
第6题
现有两个平凸透镜，其一是已知一个平凸透镜，其结构参数和初始数据如下：
tanω=-0.087488， l=∞， h=10mm， lz=-0.00001mm
r/mm | d/mm | nD | nF | nC |
∞ | ||||
3.63 | 1.5163 | 1.52196 | 1.5139 | |
-51.63 |
另一个反之，其结构参数和初始数据如下：
tanω=-0.087488， l=∞， h=10， lz=-0.00001
r/mm | d/mm | nD | nF | nC |
51.63 | ||||
3.63 | 1.5163 | 1.52196 | 1.5139 | |
∞ |
在入瞳边缘处：
1)计算各面实际球差分布。
2)计算各面初级球差分布。
3)计算各面高级球差分布。
第7题
某10/0.4kV变电所的接地装置是用φ50×2500mm2的钢管沿变电所周界敷设，每边三根，共计敷设九根，管内距离a:l=2，接地线是用40×4mm的扁钢连接。试计算该接地装置的接地电阻是否符合要求，已知接地处的土壤电阻率ρ=70Ω/·m。可利用的自然接地体电阻RE(nat)=30Ω。
第8题
一个MOS电容器有下列参数：衬底Na=1015cm-3，VFB=2V，xo=100nm，电极面积10μm×20μm，计算：
第9题
已知下列反应△rHΘm值的正、负，判断反应在高温和低温时的自发状态。 (1)2Fe(S)+3／2O2(g)=Fe2O3(s) △rHΘm＜0 (2)2NH3(g)=N2(g)+3H2(g) △rHΘm＞0 (3)C2H5OH(1)=C2H5OH(g) △rHΘm＞0 (4)2Cl2(g)+7O2(g)=2Cl2O7(l) △rHΘm＞0 (5)C2H5OH(l)+2O2(g)=2CO2(g)+3H2O(g) △rHΘm＜0
第10题
(华北电力大学＜北京＞2006年考研试题)在如图13—38所示电路中，R2=20Ω，AB两端向右看入的输入电阻Rin=10Ω，M=0．2H，L=1．5H,
，线性无源三端网络的短路导纳参数矩阵为
。求：(1)电压u(t)及其有效值；(2)电源us(t)发出的有功功率；(3)电阻R3。
第11题
已知图a电路的特征阻抗ρ=2kΩ，品质因数Q=20，谐振角频率ω0=500rad/s。如设μ=1/2，试给出电路参数R、L、C值。
