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[主观题]

一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“1”;当Q

i=0时,Si在位置“0”。运算放大器A性能理想。

一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“

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第1题

一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“1”;当Qi=0时,Si在

一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“1”;当Qi=0时,Si在位置“0”。运算放大器A性能理想。

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第2题

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。 (1)试写出电路电压

可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。

(1)试写出电路电压增

的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。

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第3题

用PN结温度传感器配接的放大电路如图7.5.6所示。其中RW1和R3调节温度T和输出电压Va的对应关系,RW2
用于调节增益。若R3≥R2,PN结温度特性为一2.2mV/℃,试求:

(1)输出电压Vo和温度T的关系式; (2)如果常温下输出电压V0=0,求V0和温度变化量△T的关系式。

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第4题

放大电路如图2.4.12所示,若射极电阻RE发生变化是否会影响放大器的电压增益和输入电阻?如有影响,
试定性分析它们之间的变化关系。

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第5题

差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流

差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流增益

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第6题

负反馈放大电路与上题相同,若补偿后的运放开环频率响应如下图所示。为保证该电路稳定地工作,|FV|的变化范围

负反馈放大电路与上题相同,若补偿后的运放开环频率响应如下图所示。为保证该电路稳定地工作,|FV|的变化范围和相应的环路增益为多少?并选择一合适的|FV|值。

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第7题

如图(a)是高输入电阻、增益可调的差动放大电路,试证明:

如图(a)是高输入电阻、增益可调的差动放大电路,试证明:

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第8题

如图2.35所示方形镜谐振腔,凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6.45cm,f2=πω022/λ

如图2.35所示方形镜谐振腔,凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6.45cm,f2=πω022/λ0=38.7cm。d1=25cm,d2=50cm,r1=0.98,r2=0.93。透镜的透过率为95%,λ0=5145

(1)写出TEMmnq模频率的表达式; (2)求腔内光子寿命; (3)估计腔的Q值; (4)如果腔内存在增益物质,可以使光强每程放大1.13倍,求此有源腔的光子寿命,对此结果怎样理解?

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第9题

在下图所示电路中,已知一个具有主极点频率的直流放大器的低频电压放大倍数为Avo=-20倍,当在其输入端输入一

在下图所示电路中,已知一个具有主极点频率的直流放大器的低频电压放大倍数为Avo=-20倍,当在其输入端输入一个电压波形vi时测得输出端电压vo的波形如图中所示。试确定该放大器的通频带约为多少?

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第10题

如图4.16所示的放大介质在1.05μm波长处的小信号增益为6dB(即G0=4),发射截面为10-17cm2,上、下能级

如图4.16所示的放大介质在1.05μm波长处的小信号增益为6dB(即G0=4),发射截面为10-17cm2,上、下能级寿命分别为500μs和10ns,增益介质每个端面的损耗为2%,环腔中光隔离器的损耗可忽略不计,试计算输出光强。

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第11题

用应变仪测量一模拟小轴的扭矩,测量系统框图如图8-12所示,电桥电源电压为15V,应变仪灵敏度系数为2.0。试在图

用应变仪测量一模拟小轴的扭矩,测量系统框图如图8-12所示,电桥电源电压为15V,应变仪灵敏度系数为2.0。试在图8-11中表示布片和组桥的方式,要求电桥的灵敏度最高,并消除附加弯曲和拉、压载荷的影响。已知小轴直径D=30mm,弹性模量E=2×105MPa,泊松比μ=0.28;应变放大器有1,10,100,1000 4个增益档,其电压放大倍数分别为1,10,100,1000,满量程输出为±5V;由A-D和PC构成虚拟仪器,A-D输入范围为±5V,虚拟仪器对应的显示值是±5000mV。

当小轴加载扭矩为T=50N·m时,请选择应变放大器增益档,如果把显示值标定为输入扭矩,标定系数应为多少?

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