一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“1”;当Qi=0时,Si在
一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“1”;当Qi=0时,Si在位置“0”。运算放大器A性能理想。
一程控增益放大电路如图10.2.11所示,当图中计数器某位输出Qi=1时,相应的模拟开关Si在位置“1”;当Qi=0时,Si在位置“0”。运算放大器A性能理想。
第1题
可控增益放大电路如图8.3.1所示。当Qi=1时Si与vi接通;Qi=0,Si接地。
(1)试写出电路电压增
的表达式; (2)当v1=+5 mV,Q3Q2Q1Q0=1001时,计算vO的值; (3)求出电压增益的最大值。
第2题
(1)输出电压Vo和温度T的关系式; (2)如果常温下输出电压V0=0,求V0和温度变化量△T的关系式。
第3题
差动电流放大单元(吉尔伯特增益单元)如图3.4.8所示,晶体管VT1~VT4性能相同,其中一1<x<1,计算电流增益
第5题
如图2.35所示方形镜谐振腔,凸透镜两边厄米一高斯光束的参数分别为f1=πω012/λ0=6.45cm,f2=πω022/λ0=38.7cm。d1=25cm,d2=50cm,r1=0.98,r2=0.93。透镜的透过率为95%,λ0=5145
。
(1)写出TEMmnq模频率的表达式; (2)求腔内光子寿命; (3)估计腔的Q值; (4)如果腔内存在增益物质,可以使光强每程放大1.13倍,求此有源腔的光子寿命,对此结果怎样理解?
第6题
如图4.16所示的放大介质在1.05μm波长处的小信号增益为6dB(即G0=4),发射截面为10-17cm2,上、下能级寿命分别为500μs和10ns,增益介质每个端面的损耗为2%,环腔中光隔离器的损耗可忽略不计,试计算输出光强。
第8题
(四川大学2005年考研试题)已知由运放组成的电路如图11-24所示,设运放输入电阻Ri=∞,输出电阻R0=0,试求:(1)电路的系统函数
;(2)电路渐近稳定时,运放增放增益A的取值范围;(3)电路具有什么滤波特性?
第9题
用PN结温度传感器配接的放大电路如下图所示。其中RW1和R3调节温度T和输出电压Vo的对应关系,RW2用于调节增益。若R3R2,PN结温度特性为-2.2mV/℃,试求:
第10题
(中国矿业大学2008年考研试题)如图3一77所示电路受控源的电压为()。
A.一6V
B.6V
C.5V
D.一5V