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[主观题]

杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。（)

杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。()

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发布时间：2023-06-08

更多“杂质半导体的导电能力受温度的影响很小。（)”相关的问题

第1题

半导体的导电能力随着温度的升高而降低。()

半导体的导电能力随着温度的升高而降低。（)

A.正确

B.错误

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第2题

电子电路中常用的半导体器件有二极管、稳压管、双极型三极管和场效应等。制造这些器材的主要材料是半导体，例如（）和（）等。半导体中中存在两种载流子：（）和（）。纯净的半导体称为（），它的导电能力很差。掺有少量其他元素的半导体称为杂质半导体。杂质半导体分为两种：（）型半导体——多数载流子是电子P型半导体——多数载流子是空穴当把P型半导体和N型半导体结合在一起时，在两者的交界处形成一个PN结，这是制造半导体器件的基础。

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第3题

当温度升高的时候，半导体的导电能力将（）。

A.增强

B.减弱

C.不变

D.不一定

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第4题

当半导体材料受光照射时，其导电能力会（)。

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第5题

当温度降低时，半导体的导电能力将（)。

A、不变

B、减弱

C、增强

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第6题

半导体的导电机构是什么？适当掺入杂质和加热都能使半导体的电导率增加，这两种处理本质上有无不同？

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第7题

纯净半导体中掺入微量的某种杂质，会使半导体的导电性能（)。

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第8题

在纯净半导体中掺入杂质或（)，都会使半导体的导电性能增强。

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第9题

N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的VGS

N沟道增强型MOS管的衬底是______型杂质半导体，源区和漏区是______型杂质半导体。它的导电沟道是由外加的V_GS产生的______形成的，增强型管子的含义是______。

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第10题

杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为()。

杂质半导体中，空穴的浓度比电子浓度高得多的，主要依靠空穴导电的称为（)。

A.N型半导体

B.P型半导体

C.电子型半导体

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第11题

从能带结构来看，本征半导体的导电机制是＿＿．加入杂质后，P型半导体的能带结构的变化是＿＿，从而形成

了＿＿．

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