请输入或粘贴题目内容
搜题
拍照、语音搜题，请扫码下载APP
题目内容
（请给出正确答案）
在下图所示晶体管混频电路中，晶体管在工作点展开的转移特性为iC=a0+a1ube+a2，其中a0=0.5mA，a1=3.25mA/V，a2=7.5mA/V2，若本振电压uL=0.16cos(ωLt)V，信号电压us=10-3cos(ωct)V，中频回路谐振阻抗Rp=10kn，求该电路的混频电压增益Ac。
答案
更多“在下图所示晶体管混频电路中，晶体管在工作点展开的转移特性为iC=a0＋a1ube＋a2，其中a0=0.5mA，a1=3.25mA／V，a2=”相关的问题
第1题
下图所示电路为压控振荡电路，试说明其工作原理并定性画出uO和uO1的波形(其中，uI＞0。晶体管VT工作在开关状态，截止时相当于开关断开，导通时相当于开关闭合，管压降近似为零。)。图中R1=R2=R3=R4，R6=R7。
第2题
在下图所示差分电路中，已知u1=360cos(2π×106t)mV，u2=10cos(2π×103t)mV，VCC=VEE=10V，RE=10kΩ，晶体管的β很大，UBE(on)可忽略，试用开关函数求iC=iC1-iC2的关系式。
第3题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第4题
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
第6题
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
第9题
用一个晶体三极管接成如下图所示的放大器。试标出能使该放大器正常工作的电源电压VCC和电容C1、C2的正负极性以及晶体管电路符号。
第10题
在下图所示的晶体管中，已知ICQ=1.3mA，晶体管的β=50，Cπ=7pF，Cμ=3pF。试确定管子的共发射极截止频率fβ和特征频率fT。
第11题
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
