A-B二元系如图所示,A和B组成扩散偶,在温度保温,当a和β界面达到平衡后,求界面的推移速度。设扩散系数和成分无
A-B二元系如图所示,A和B组成扩散偶,在温度保温,当a和β界面达到平衡后,求界面的推移速度。设扩散系数和成分无关,在温度B原子在两相的扩散系数分别为。
A-B二元系如图所示,A和B组成扩散偶,在温度保温,当a和β界面达到平衡后,求界面的推移速度。设扩散系数和成分无关,在温度B原子在两相的扩散系数分别为。
第2题
A-B二元系固态在液态和固态均完全互溶(a相),并存在溶解度间隙。溶解度间隙的最高临界温度T<sub>c</sub>=800K。在550K以及B的摩尔分数x<sub>B</sub>=0.4时,自由能一成分曲线的二阶导数,测得在该成分下。若调幅分解的λ<sub>m</sub>=100nm,问以多大的冷却速度从高温850K冷却下来才可以避免在550K发生调幅分解?
第3题
A-B二元系,富B的β相颗粒分布在a相中,颗粒尺寸不均匀,平均半径为0.1μm a/β界面能为0.5J·。1000K时,B在α相中扩散系数为/s,两相的摩尔体积近似为,a相和β相的平衡体积浓度分别为2%和90%。
①在此时,半径为0.05pμm及1.5μm的颗粒的界面移动速度是多大?
②求平均半径从0.1/μm长大到0.3μm所需要的时间?
第4题
A-B二元系相图如图10-4所示,在500K发生γ→a+β共析转变。设共析长大是由体积扩散控制的,求共析片层间距及共析体的长大速度。共析转变的熵变,a/β界面能0.5 J/,扩散系数。
第5题
图给出三元系A-B-C的一些资料:图3-22(a)是三元系的组元中两两组成的二元系相图,图3-22(b)是液相面投影,图3-22(c)是40%C的恒元垂直截面,图3-22(d)500℃恒温截面,图3-22(e)是和20%C恒元垂直截面。请画出70%C的恒元垂直截面以及的垂直截面。
第7题
图3-26(a)给出Au-Ge、GeSb和Sb-Au二元相图。图3-26(b)是Au-Sb-Ge三元系液相面投影图以及两个四相平衡投影,图3-26(c)是Au-Sb-Ge三元系460℃的恒温截面,图3-26(d)是x(Sb)=50%的垂直截面。请作出500℃以及室温的恒温截面、作出x(Ge)=10%的垂直截面。用教材中表3-4的方式描述Au-Sb-Ge系发生的反应。
第8题
如图所示,一圆线圈,它具有250匝,面积A为2.52×10-4m2,电流为100μA。线圈静止在大小B=0.85T的均匀磁场中,其偶极矩μ最初与B方向相同。
第11题
如图所示,向半导体加一磁场B,从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体,在半导体表面附近产生电子—空穴对,当电子和空穴向半导体体内扩散时,受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离,于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。