A-B二元系相图如图10-4所示,在500K发生γ→a+β共析转变。设共析长大是由体积扩散控制的,求共析片层间距及共析
A-B二元系相图如图10-4所示,在500K发生γ→a+β共析转变。设共析长大是由体积扩散控制的,求共析片层间距及共析体的长大速度。共析转变的熵变,a/β界面能0.5 J/,扩散系数。
A-B二元系相图如图10-4所示,在500K发生γ→a+β共析转变。设共析长大是由体积扩散控制的,求共析片层间距及共析体的长大速度。共析转变的熵变,a/β界面能0.5 J/,扩散系数。
第2题
A.a
B.b
C.c
D.d
第3题
如图8—14所示的复合系统由两个线性时不变子系统Sa和Sb组成,其状态方程和输出方程分别为
写出复合系统的状态方程和输出方程的矩阵形式。
第5题
如图5—4所示为单高纯氮精馏塔,进塔空气量M=1m3/(m3加工空气),液体空气量R=0.70588m3/(m3加工空气),氮气产量A=0.266129m3/(m3加工空气量),塔顶压力pD=871.18kPa,塔釜压力pB=889.41kPa,全塔冷损Q=2.512kJ/h,空气组成为x1=0.2095,x2=0.0093,x3=0.7812,理论平衡级数为29(注:单位m3系指在20℃和0.1MPa下的体积)试用三对角矩阵法计算精馏工况。
第6题
已知LSTTL反相器的静态特性,如图3.4.1所示,且IOH=-400uA,IOL=4 mA;又知图3.4.1(b)电路中,VCC=5 V,RC=1 kΩ,三极管β=50,饱和时VCES=0.3 V,VBES=0.7 V。 (1)求Rb=10 kΩ,开关K分别置于0和1处时的VA,VB,VO。 (2)Rb短路,电路能否正常工作?若不能试求出Rb的最小允许值。 (3)为保证电路正常工作,Rb的最大值应为多少?
第8题
在10位逐次渐近型A/D转换器中,其DAC的输出电压波形与输入电压vI如图L11-9(b)所示。
第9题
在图a中,设电流i(t)的波形如图1-29所示,且知q(0-)=1C,试计算电荷q(t),并画出其波形。
第10题
在图中,设C=2F,uc波形是一个三角形波,如图a中阴影线部分所示,对所有t,试计算电流ic,并画出其波形。
第11题
图所示稳态电路中,is(t)=2sin(104t+30°)mA,Is4=2A,Us5=57V,R4=6Ω,R5=3Ω,α=3,L=0.1mH,非线性电容的库伏特性为q=13.5×10-4。试求非线性电容上的电压uc及其电流ic。