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场效晶体管和双极型比较有何特点？

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发布时间：2022-12-04

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第1题

场效应管和双极型晶体管相比较，以下属于场效应管的特点的是（）。

A.只有一种载流子参与导电，称为单极型

B.自由电子和空穴同时参与导电

C.电压控制型，栅极无电流，驱动电流很小

D.电流控制型，有基极电流，需要一定的驱动电流

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第2题

绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()

绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。（)

T.对

F.错

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第3题

在变频技术中，绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是：（)

A.GTO

B.MOSFET

C.PIC

D.IGBT

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第4题

“IGBT”这个英文简称指的是（)。

A.绝缘栅双极型晶体管

B.可关断晶体管

C.双极型晶体管

D.以上说法均不准确

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第5题

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。（)

A.正确

B.错误

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第6题

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。

A.PowerMOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第7题

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。（)

A.正确

B.错误

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第8题

对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。()

对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。（)

A.错误

B.正确

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第9题

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA／V2，VP=－4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT₁的工艺参数k=0.125mA/V²，V_P=-4V。双极型晶体管VT₂为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻R_i、输出电阻R_o和总电压放大倍数A_v。

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第10题

在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。（1)画出简化阵列图。（2)列表说明其存储的内容。（3)写

在图22.12所示中，ROM的存储矩阵是由双极型晶体管构成的。(1)画出简化阵列图。(2)列表说明其存储的内容。(3)写出D₀～D₃的逻辑式。

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第11题

在图22－4中，ROM的存储阵列是由双极型晶体管构成的；（1)画出简化阵列图；（2)列表说明其存储的内容；（3)写出D0～D

在图22-4中，ROM的存储阵列是由双极型晶体管构成的；(1)画出简化阵列图；(2)列表说明其存储的内容；(3)写出D₀～D₃的逻辑式。

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