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[单选题]

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。

A.PowerMOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

答案

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发布时间：2022-12-03

更多“绝缘栅双极型晶体管的简称是（)。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT”相关的问题

第1题

绝缘栅双级晶体管具有速度快,输入阻抗高,___________低,耐压高,电容量大的特点。

绝缘栅双级晶体管具有速度快，输入阻抗高，___________低，耐压高，电容量大的特点。

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第2题

对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。()

对于双极型晶体管来说，功率MOSFET的速度并不够快。（)

A.错误

B.正确

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第3题

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。（)

A.正确

B.错误

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第4题

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。()

与双极型晶体管比较，场效应管放大能力弱。（)

A.正确

B.错误

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第5题

（）的本质是一个场效应管。A.肖特基二极管B.电力晶体管C.可关断晶闸D.绝缘栅双极晶体管

（）的本质是一个场效应管。

A.肖特基二极管

B.电力晶体管

C.可关断晶闸

D.绝缘栅双极晶体管

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第6题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为()。

A.阴极，门极，阳极

B.源极，栅极，漏极

C.发射极，栅极，集电极

D.发射极，基极，集电极

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第7题

绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为（)。

A.发射极，基极，集电极；

B.发射极，栅极，集电极；

C.源极，栅极，漏极；

D.阴极，门极，阳极。

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第8题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.错误

B.正确

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第9题

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。()

P-MOSFET栅偏压大于零时，漏源极之间才存在导电沟道的称为耗尽型。（)

A.正确

B.错误

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第10题

结型场效应管利用栅源极间所加的来改变导电沟道的电阻

A.反偏电压

B.反向电流

C.正偏电压

D.正向电流

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第11题

耗尽型MOSFET,栅源极之间的PN结()。

A.必须正偏

B.必须零偏

C.必须反偏

D.可以正偏、零偏或反偏

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