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[主观题]
若空穴密度遵循玻尔兹曼统计，试证明p型半导体的塞贝克电压Vs为 （1) 式中，ε=qVF/kT。
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若空穴密度遵循玻尔兹曼统计，试证明p型半导体的塞贝克电压Vs为
式中，ε=qVF/kT。
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更多“若空穴密度遵循玻尔兹曼统计，试证明p型半导体的塞贝克电压Vs为 （1) 式中，ε=qVF/kT。”相关的问题
第1题
作为载流子，同时存在空穴和电子时，试证明塞贝克电压VS为
(1)
其中
σp，σn，αp和αn分别为空穴和电子的电导率及塞贝克系数，而且，σ=σp+σn，Vg=Eg/g。
第2题
空穴浓度为1016cm-3的p型硅，冷端温度为0℃，热端温度为50℃，设其为长声学波散射，试求温差电动势。
第3题
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍耳系数
第4题
若在禁带中心E存在单能级的快界面态(即Et=Ei)，其密度为Nstcm-2。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布，试证明界面态电容Css(Vs)为
式中
第5题
若在GaAs LED中，μn/μp=30，Na=Nd，证明与电子电流相比较，空穴扩散电流可以忽略．
第6题
试证明：
设f∈C(∞)([0，1])．若对每个x∈[0，1]，均存在nx∈N，使得f(nx)(x)=0，则存在区间
f(x)=P(x) (x∈(a，b)).
第7题
以(x1，x2，…，xp)表p维空间的一个点，若坐标值x1，x2，…xp均为整数时即称为“格点”．试证明适合下列不等式
|x1|+|x2|+…+|xp≤N(N：正整数)的格点(x1，x2，…，xp)的个数即等于
第8题
设遵从玻尔兹曼分布的电量为e的带电粒子，在恒定电场
的作用下发生漂移运动，由于存在浓度梯度又发生扩散运动，试证明：当漂移与扩散达到平衡时，存在爱因斯坦关系
式中，
为粒子的迁移率(
第11题
Q开关调制激光器，若激光上、下能级的统计权重不等，即f2≠f1，增益介质长度为l且等于腔长(即l=L)。试证明反转粒子数密度速率方程及最大光子数密度可修正为
