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（请给出正确答案）
一个电导率为0.001/(Ω·cm)的硅样品，在弱磁场下霍尔电压为零。假设电子[μn=1300cm2/(V·s)]和空穴[μp=300cm2/(V·s)]的霍尔因子相同，试确定载流子密度。
答案
更多“一个电导率为0.001/（Ω·cm)的硅样品，在弱磁场下霍尔电压为零。假设电子[μn=1300cm2/（V·s)]和空穴[μp=300cm2/（”相关的问题
第1题
设一块n型半导体材料，其室温暗电导率为100S/cm，当以强度I=10-6W/cm2的光照射时，其吸收系数α=102/cm，测得其稳态光电导率与暗电导率之比γ=10，寿命τ为10-4s，b=μn/μp=10，μn=10000cm2/(V·s)，求对应的量子产额。
第2题
第3题
A.距离为1 cm的两电极间含有1 mol电解质时溶液的电导；
B.距离为1 m的两电极问含有1 g电解质时溶液的电导；
C.距离为1 cm的两电极间含有1 g电解质时溶液的电导；
D.距离为1 m的两电极间含有1 mol电解质时溶液的电导。
第4题
有一个λ/4同轴谐振腔，其内导体外直径为d，外导体内直径为D，用电导率σ=5.8×107s/m的铜制成，填充介质为空气，若忽略短路板的损耗，试求：
第6题
A.0.3316
B.0.3421
C.0.2344
D.0.2145
第7题
设有电导率为σ1，电容率为ε1的均匀导电液体充满一无穷大的容器，液体内流有均匀的传导电流J0，今在液体中置入一个半径为rn的非均匀导体球，其电导率
(1) 稳定后电势分布满足什么样的微分方程和边界条件？
(2) 试求稳定后空间的电势分布；(提示：球内电势可试设为ψ=crαcosθ+d的形式)
(3) 稳定后自由电荷分布。
第9题
当环境温度提高时，一个耐压为100V的锗二极管的击穿电压将() ，另一个uZ 为4V的硅稳压管的稳定电压将()
A、增大
B、减小
第11题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
