题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()
A、内光电效应
B、外光电现象
C、热电效应
D、光生伏特效应
答案
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A、内光电效应
B、外光电现象
C、热电效应
D、光生伏特效应
第1题
第3题
A.在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体
B.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电
C.PN结在无光照、无外加电压时结电流为零
D.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的
第4题
若用吸收系数大的波长光照半导体样品时,在表面附近将产生电子—空穴对,试求因迁移率不同的两种载流子在x1和x2两点间感生的丹倍电动势
式中,σ1、σ2分别为x1和x2处的电导率。
第10题
用国产半导体热敏电阻在遥控电路中作稳定高低频振荡振幅时,其材料常数为4000K、热导为0.25mW/℃、标称电阻R25=40kΩ,试求热平衡状态下的电压极大值Um和相应的电流Im?
第11题
在某些半导体器件的局域范围内存在着极强的电场,使电子温度Te与晶格温度TL不相等(磁场效应)。设μn、τe分别为电子迁移率和能量弛豫时间。