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[主观题]

光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()

A、内光电效应

B、外光电现象

C、热电效应

D、光生伏特效应

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更多“光照射在某些半导体材料表面上时,半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态,使半导体的导电率增加,这种现象叫()”相关的问题

第1题

如图所示为一柱透镜汇聚的光照射在一条状半导体pn结上,已知在室温下n区电阻率为40Ω·cm,p区电阻率为0.1Ω·cm,
反向饱和电流为1μA,电子迁移率为3600cm2/(V·s),空穴迁移率为1800cm2/(V·s),n区的电子深度为3×1013cm-3,试回答下列问题:

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第2题

受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外光电效应。()
受光照的半导体材料的电导率发生变化或产生光电动势的效应称为外光电效应。()

A.错误

B.正确

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第3题

下列说法错误的有()。

A.在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体

B.因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电

C.PN结在无光照、无外加电压时结电流为零

D.处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的

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第4题

若用吸收系数大的波长光照半导体样品时,在表面附近将产生电子—空穴对,试求因迁移率不同的两种载流子在x1和x

若用吸收系数大的波长光照半导体样品时,在表面附近将产生电子—空穴对,试求因迁移率不同的两种载流子在x1和x2两点间感生的丹倍电动势

式中,σ1、σ2分别为x1和x2处的电导率。

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第5题

半导体应变片在测量某一构件的应变时,引起其电阻相对变化的原因为()。

A.应变片几何尺寸的变化

B.半导体材料的弹性模量的变化

C.半导体电阻率的变化

D.半导体材料压阻系数的变化

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第6题

下列材料中,( )不能进行电火花加工。

A.聚晶金刚石

B.硬质合金

C.半导体

D.钢化玻璃

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第7题

下列材料中,( )不能进行电火花加工。

A.钢化玻璃

B.半导体

C.聚晶金刚石

D.硬质合金

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第8题

电缆缆芯导体表面包有半导体纸带或金属化纸带,称之为______,而绝缘层外表包括上述材料时称为______。
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第9题

光伏效应是指当光照射()时,光能转变为电能的现象。

A.聚光器

B.集热器

C.干燥器

D.半导体材料

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第10题

用国产半导体热敏电阻在遥控电路中作稳定高低频振荡振幅时,其材料常数为4000K、热导为0.25mW/℃、标称电阻R25=

用国产半导体热敏电阻在遥控电路中作稳定高低频振荡振幅时,其材料常数为4000K、热导为0.25mW/℃、标称电阻R25=40kΩ,试求热平衡状态下的电压极大值Um和相应的电流Im

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第11题

在某些半导体器件的局域范围内存在着极强的电场,使电子温度Te与晶格温度TL不相等(磁场效应)。设μn、τe分别为

在某些半导体器件的局域范围内存在着极强的电场,使电子温度Te与晶格温度TL不相等(磁场效应)。设μn、τe分别为电子迁移率和能量弛豫时间。

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