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[主观题]
分析图2.4.1各电路,当vi为小信号正弦波时它们是否具有信号放大作用?
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第1题
电路如图L10-4-1所示,其中门G1、G2均为CMOS反相器,T为NMOS场效应管,vI为输入信号,为连续可变正信号,且有RP足够大,RF远大于RON(N)和RON(P),试分析该电路的工作原理。
第2题
图T7.3-1(a),(b)都是单稳态触发器电路,定性画出在触发信号vI作用下电路的各级波形。设时间常数RC小于vI的低电平脉冲宽度。
第3题
图2-78电路中,当S掷“1”时,伏特表指针正偏,读数为20V,那么,当S掷“2”时,安培表指针向什么方向偏转?读数是否为2A?为什么?
第4题
第5题
图(a)所示电路中,R1=2Ω,R2=1Ω,Us=4V,us(t)=0.01costV,非线性电阻R3的特性方程为。试用小信号分析法求电压u0(t)。
第6题
第7题
试用图4.3.14(a)给定的触发器和逻辑门设计波形产生电路。要求图(a)中的各信号满足图4.3.14(b)所示时序关系。
第9题
激光工作物质的能级图如下图所示,泵浦激光的频率调到3-0跃迁的中心频率,当泵浦光强Ip无限增加时,求能级2-能级1能级间小信号反转集居数密度△n0(假设各能级的统计权重均为1)。
第11题
图(a)所示电路中,非线性电阻的伏安特性如图(b)中粗实线所示。已知us1=2sin1000tV,试用小信号分析法求u,i及i1。