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[单选题]
已知某MOS场效晶体管产生漏极电流的条件是UDS＞0，UGS＞UGS(th)＞0。该场效晶体管为( )。
A.E型NMOS管
B.E型PMOS管
C.D型NMOS管
D.D型PMOS管
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A.E型NMOS管
B.E型PMOS管
C.D型NMOS管
D.D型PMOS管
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更多“已知某MOS场效晶体管产生漏极电流的条件是UDS＞0，UGS＞UGS（th)＞0。该场效晶体管为（)。 A．E型NMOS管 B．E型P”相关的问题
第1题
某场效晶体管，UGS(off)=-3V。试问该管是四种场效晶体管中的哪一种？若UDS＞0，而UGS分别为+2V、0V和-2V，试问在这三种情况下是否会产生漏极电流ID？
第6题
一电偶极型天线长为ι，所载电流为I=I0sinωt，已知
(1) 辐射场；
(2) 平均能流密度；
(3) 辐射功率P和辐射电阻Rr。
第11题
为什么场效晶体管低频放大电路中，输入端耦合电容C。通常取得较小(0.01～0.047μF)，而在晶体管低频放大电路中往往取得较大(几到几十微法)？
