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[主观题]

当半导体形成pn结时，p型中的空穴（或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型（或p型)中去呢？

当半导体形成pn结时，p型中的空穴(或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型(或p型)中去呢？

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发布时间：2022-12-04

更多“当半导体形成pn结时，p型中的空穴（或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型（或p型)中去呢？”相关的问题

第1题

本征半导体入三价元素后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。（)

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第2题

P型半导体中多数载流子是()，N型半导体中()载流子是空穴。

A.空穴

B.自由电子

C.少数

D.多数

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第3题

在P型半导体中，（)为多数载流子。在N型半导体中，（)为多数载流子。

A、空穴，空穴

B、空穴，电子

C、电子，电子

D、电子，空穴

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第4题

本征半导体中掺入微量()价元素，空穴依度椅大大増加，交神半导体称为()型半导体。

A.三

B.五

C.N

D.P

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第5题

对半导体而言，其正确的说法是（）。

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电

B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电

C.P型半导体和N型半导体本身都不带电

D.P、N型半导体都带负电

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第6题

P型半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。()

P型半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。（)

A.正确

B.错误

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第7题

下列关于P型半导体的说法正确的是()。

A.自由电子`数大于空穴总数

B.空穴总数远大于自由电子数

C.自由电子成为多数载流子

D.空穴成为少数载流子

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第8题

对PN结二极管，当P区外接高电位，而N区外接低电位，则PN结为()。

对PN结二极管，当P区外接高电位，而N区外接低电位，则PN结为（)。

A.正偏

B.反偏

C.截止

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第9题

N型半导体中，自由电子的数目和空穴的数目（)。

A、自由电子数目多

B、空穴的数目多

C、相同

D、不能确定

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第10题

如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以的光（光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴

如图所示，向半导体加一磁场B，从垂直于B的方向以的光(光强为I)入射于半导体，在半导体表面附近产生电子—空穴对，当电子和空穴向半导体体内扩散时，受洛仑兹力作用而沿x方向发生分离，于是在x轴方向产生电流或电场。这种现象称为光电磁效应。试对于半导体表面复合速度为零的理想情形求短路电流。

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第11题

N型半导体中的多子是（)。

A.电子

B空穴

C正离子

D负离子

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