电路如图所示,已知晶体管参数为hfe=50,rbb'=200Ω, 试计算: (1)ICQ、UCEQ。 (2)、Ri、Ro。 (3)若适当增大Re,
电路如图所示,已知晶体管参数为hfe=50,rbb'=200Ω,
试计算:
(1)ICQ、UCEQ。
(2)、Ri、Ro。
(3)若适当增大Re,使放大器仍工作于放大区,则、Ri、Ro是否变化?若变化,如何改变?
电路如图所示,已知晶体管参数为hfe=50,rbb'=200Ω,
试计算:
(1)ICQ、UCEQ。
(2)、Ri、Ro。
(3)若适当增大Re,使放大器仍工作于放大区,则、Ri、Ro是否变化?若变化,如何改变?
第1题
电路如图(a)所示,已知晶体管参数为hfe=40,rbb'=300Ω,试计算:
(1)ICQ、UCEQ;
(2)、Ri、Ro。
第2题
某半导体逻辑器件的内部电路如图所示。已知PN结的正向压降为0.7V,晶体管的正向放大系数βF=100,反向放大系数βR≈0,VCC=5V,其他参数按理想器件考虑。
第3题
如图所示有载二端口网络中,虚框中的二端口网络N为某晶体管放大器,已知其参数矩阵为
若Us=10mV,Rf=R2=1000Ω,求电压U2值。
第4题
两种晶体管反相器电路如图所示,负载电容CL=100pF,vI1、vI2为反相输入信号,vo为反相器的输出端。设各晶体管的参数相同,导通时基极驱动电流相等,试分析这两种电路输出电压的边沿变化情况,比较它们的工作速度。
第5题
计算图(a)、(b)两射极输出器的中频输入电阻Rt,并用反馈概念说明图(b)利用C2提高输入电阻的原理。假设晶体管参数为hie=1kΩ,hfe=100,hre=0,hoe=0。所有电容的阻抗均可忽略。
第6题
一直接耦合放大器如图所示,已知三只晶体管参数相同,β=100,rbb'=100Ω。问:
(1)各晶体管属于何种组态?
(2)若使uC3=0,问Rb应为多大?
(3)计算及Ro。
第7题
在图4-24所示电路中,已知由晶体管等效电路所构成的二端口网络混合参数矩阵为
如果激励源电压=10mV,内阻抗Zs=1kΩ,负载导纳YL=10-3s,试求负载端电压。
第8题
(a)回路的谐振频率fo和通频带BW0.7。 (b)如要求通频带为10kHz,用什么方法可以满足要求?
第9题
电路如下图所示。已知C=150pF,RL=1kΩ,L=780μH,线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ,Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求:
第10题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。