对于p型样品,证明 式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。
对于p型样品,证明
式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。
对于p型样品,证明
式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。
第2题
若空穴密度遵循玻尔兹曼统计,试证明p型半导体的塞贝克电压Vs为
(1)
式中,ε=qVF/kT。
第3题
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数,式中np和nn分别表示空穴或电子的浓度.
第4题
设平稳随机信号为s(t),其导数为(t)。请证明
式中,rs(α)=E[s(t)s(t+α)],是信号s(t)的自相关函数;,是信号s(t)的导数;与s(t)的互相关函数;是rs(α)的一阶导数。
第7题
试从纯物质的相平衡准则证明:若纯物质的状态方程p=p(T,V)能表达其饱和蒸汽压ps(T),则应有:
并在p-V相图上表示出上式的物理意义。
第8题
在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为
证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为
第9题
在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为
证明:(1)当k=1时,概率P(R=l|H1)|k=1为
(2)当K=2时,概率P(R=l|H1)|k=2为
第10题
试证明对于闭合回路,当回路中通有稳恒电流I时,它的磁感应强度可以写成
式中Ω是观察点对回路所张的立体角。
第11题
(1)根据式或式,证明对于任意的xB/Ln值,,式和式,变成
(2)证明,若,(1)中的表达式约化为式,和式,.