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[主观题]

对于p型样品,证明 式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。

对于p型样品,证明

对于p型样品,证明    式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。对于p型样品,证

式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。

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更多“对于p型样品,证明 式中Rs是饱和电离区的霍尔系数,Rext是霍尔系数的极值。”相关的问题

第1题

以p型衬底为例证明由空间电荷区边界xd处开始电势按抛物线方式上升,即 式中

以p型衬底为例证明由空间电荷区边界xd处开始电势按抛物线方式上升,即

式中

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第2题

若空穴密度遵循玻尔兹曼统计,试证明p型半导体的塞贝克电压Vs为 (1) 式中,ε=qVF/kT。

若空穴密度遵循玻尔兹曼统计,试证明p型半导体的塞贝克电压Vs

(1)

式中,ε=qVF/kT。

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第3题

试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数,式中np

试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力,粗略地证明P型半导体的霍耳系数,n'型半导体的霍耳系数,式中np和nn分别表示空穴或电子的浓度.

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第4题

设平稳随机信号为s(t),其导数为(t)。请证明 式中,rs(α)=E[s(t)s(t+α)],是信号s(t)的自相关函数;,是

设平稳随机信号为s(t),其导数为(t)。请证明

式中,rs(α)=E[s(t)s(t+α)],是信号s(t)的自相关函数;,是信号s(t)的导数;与s(t)的互相关函数;是rs(α)的一阶导数。

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第5题

证明光波模在半导体激光二极管的有源区中的增益系数 其中小信号增益系数 饱和光强

证明光波模在半导体激光二极管的有源区中的增益系数

其中小信号增益系数

饱和光强

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第6题

对称型多谐振荡器中两个反向器均工作在( )

A.饱和区

B.截止区

C.深饱和区或截止区

D.转折区或线性区

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第7题

试从纯物质的相平衡准则证明:若纯物质的状态方程p=p(T,V)能表达其饱和蒸汽压ps(T),则应有: 并在

试从纯物质的相平衡准则证明:若纯物质的状态方程p=p(T,V)能表达其饱和蒸汽压ps(T),则应有:

并在p-V相图上表示出上式的物理意义。

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第8题

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为 证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为

证明当k→∞时,该P(R=l|H1)为

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第9题

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为 证明:(1)当k=1时,概率P(R=l|H1)|k=1为 (2)当K=2时,概率P(

在非参量型广义符号检测中,已知P(R=l|H1)为

证明:(1)当k=1时,概率P(R=l|H1)|k=1

(2)当K=2时,概率P(R=l|H1)|k=2

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第10题

试证明对于闭合回路,当回路中通有稳恒电流I时,它的磁感应强度可以写成 式中Ω是观察点对回路所张的立体角

试证明对于闭合回路,当回路中通有稳恒电流I时,它的磁感应强度可以写成

式中Ω是观察点对回路所张的立体角。

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第11题

(1)根据式或式,证明对于任意的xB/Ln值,,式和式,变成 (2)证明,若,(1)中的表达式约化为式,和式,.

(1)根据式或式,证明对于任意的xB/Ln值,式和式变成

(2)证明,若,(1)中的表达式约化为式和式

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