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[主观题]

如图所示,介质μ1、μ2分别充满半无穷大空间,且满足B=μH,在介质μ1中坐标(0,0,a)处有一电流强度为,的无限长直自

如图所示,介质μ1、μ2分别充满半无穷大空间,且满足B=μH,在介质μ1中坐标(0,0,a)处有一电流强度为,的无限长直自电电流,求磁场B的分布以及磁化电流分布。

如图所示,介质μ1、μ2分别充满半无穷大空间,且满足B=μH,在介质μ1中坐标(0,0,a)处有一电

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第1题

设有电导率为σ1,电容率为ε1的均匀导电液体充满一无穷大的容器,液体内流有均匀的传导电流J0,今在液体中置入

设有电导率为σ1,电容率为ε1的均匀导电液体充满一无穷大的容器,液体内流有均匀的传导电流J0,今在液体中置入一个半径为rn的非均匀导体球,其电导率c为一常数),电容率为一常数ε2

(1) 稳定后电势分布满足什么样的微分方程和边界条件?

(2) 试求稳定后空间的电势分布;(提示:球内电势可试设为ψ=crαcosθ+d的形式)

(3) 稳定后自由电荷分布。

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第2题

真空中一电磁波,它的场分量为 εy=Bz=AexpEi(ωt-kx)] 垂直射入一介质面上,并在面上反射,此介质的相对介电

真空中一电磁波,它的场分量为

εy=Bz=AexpEi(ωt-kx)]

垂直射入一介质面上,并在面上反射,此介质的相对介电常数为εr,相对磁导率μr=1,充满x≥0的半空间,试证反射系数

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第3题

电路如图所示,分别求R=1Ω和R=2Ω时的电流I。

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第4题

已知和的相量图如图所示,分别画出: (1); (2); (3); (4); (5)的相量图。

已知的相量图如图所示,分别画出:

(1)

(2)

(3)

(4)

(5)的相量图。

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第5题

如图所示,由介质1和介质2构成一界面,两介质的折射率分别为n1和n2,界面的法线与S系的x轴平行。现设界面随介质

如图所示,由介质1和介质2构成一界面,两介质的折射率分别为n1和n2,界面的法线与S系的x轴平行。现设界面随介质一起相对S系以速度υ沿法线作匀速平动,在S系中入射光以入射角θi从介质1向界面入射,反射角和折射角分别用θr和θt表示,试导出用入射光速ui和入射角θi表述的反射角θr和折射角θt的计算式。

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第6题

如图所示的电路中,Ri是电源内阻,R1和R2是外电路的电阻,Pi、P1和P2分别表示电阻Ri、R1和R2上消耗的电功率,当R1=R2=Ri时,Pi:P1:P2等于 ( )

A.1:1:1

B.1:4:4

C.2:1:1

D.4:1:1

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第7题

元素A的原子最外层电子的量子数为n=1,l=0,m=0,ms=+1/2;元素B的原子是原子序数最小且p亚层上价电子为半充满状态。A、B两元素形成的最常见化合物分子式为(),其中心原子以()杂化轨道成键,有()对孤对电子,分子的空间构型为()。

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第8题

某分子由三个相同的原子构成,三个原子位于正三角形之顶点,如图所示,分别记为α、β、γ.有一个价电子可以在三个
原子间流动.以H0表示此价电子的Hamilton量,以|α〉、|β〉、|γ〉表示电子的原子轨道(分别属于原子α,β,γ),设电子的原子能级为

〈α|H0|α〉=〈β|H0|β〉=〈γ|H0|γ〉=E0(1)

在任何两个原子之间,H0的矩阵元为

〈α|H0|β〉=〈β|H0|γ〉=〈γ|H0|α〉=-a, a>0 (2)

设|α〉、|β〉、|γ〉互相正交,而且是归一化的。

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第9题

如图所示,数字6所在的文本框为TEXT1,数字2所在的文本框为TEXT2,右侧文本框为TEXT3,选项按钮组OPTIONGROUP1
有2个选项,命令按钮“=>”的CLICK事件过程代码如下:

A=THISFORM.TEXT1.VALUE

B=THISFORM.TEXT2.VALUE

C='*'

IF THISFORM.OPTIONGROUP1.VALUE=1

D=A&C.B

ELSE

D=A&C.&C.B

ENDIF

THISFORM.TEXT3.VALUE=D

若表单中各控件当前内容如图一,请分别写出选择“选项1” 后,点击“=>”按钮,文本框TEXT3中显示的内容;选择“选项2”后,点击“=>”按钮,文本框TEXT3中显示的内容。

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第10题

生产函数Q=f(L,K)的要素组合与产量的对应图,如图所示,这张图是以坐标平面的形式编制的。其中,横轴和纵轴分别表示劳动投入量和资本投入量,虚线交点上的数字表示与该点的要素投入组合对应的产量。(1)图中是否存在规模报酬递增、不变和递减?(2)图中是否存在边际报酬递减?(3)图中哪些要素组合处于同一条等产量曲线上?

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第11题

指出镧系元素的主要氧化态。根据4f轨道有保持或接近全空、半充满或全充满的倾向,写出哪些元素呈现+4或+2氧化
态?
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