设图所示电路中晶体管的β=100,rbb'=0。试问: (1)如果要求fL≤1Hz,设C2=∞,C1至少应为多大? (2)如果C1=C2=10μ
设图所示电路中晶体管的β=100,rbb'=0。试问:
(1)如果要求fL≤1Hz,设C2=∞,C1至少应为多大?
(2)如果C1=C2=10μF,该电路的fL等于多少?
(3)用PSPICE或Electronics Workbench仿真分析(1)、(2)。
设图所示电路中晶体管的β=100,rbb'=0。试问:
(1)如果要求fL≤1Hz,设C2=∞,C1至少应为多大?
(2)如果C1=C2=10μF,该电路的fL等于多少?
(3)用PSPICE或Electronics Workbench仿真分析(1)、(2)。
第2题
在图4-74所示电路中,已知,Rs=1kΩ,rbb'=50Ω,IEE=2mA,β=100,fT=400MHz,Cb'c=0.5pF,RC=5kΩ,试计算差分放大器双端输出时差模电压增益的传递函数及上限频率fH。
第3题
图4-81所示为放大器交流通路,已知Rs=1kΩ,R'L=10kΩ,ICQ=1mA,β=100,rbb'=100Ω,|VA|=100V,BWn=2MHz,晶体管的极间电容忽略不计,试画出放大器的噪声等效电路,求输出总噪声均方值电压,等效输入总噪声均方值电压。
第4题
图所示电路中VT1、VT2和VT3参数相同,β=100,rbb'=100Ω,hoe=20μS,UBE1=UEB2=UEB3=0.7V,调节Rb1使VT3的偏流IC3=IQ。试计算:
(1)
(2)假设在保持偏流IC3=IQ不变的条件下令R1为零,则此时的又是多少?
第5题
在图电路中,设rbb'=100Ω,fT=10MHz,Cb'c=10pF,UBE=0.6V,β=100。
(1)试计算fH及fL。
(2)在不影响电路其他指标的前提下,欲将fL降到200Hz以下,电路参数应如何变化?
(3)将Rc改为200Ω,对电路性能有何影响?
第6题
第7题
电路如图(a)所示,已知晶体管参数为hfe=40,rbb'=300Ω,试计算:
(1)ICQ、UCEQ;
(2)、Ri、Ro。
第8题
试对图所示的交流原理图(a)、(b)中的Rf用密勒定理进行等效,设两晶体管参数相同,hie=2kΩ,β=100。
第9题
放大电路如下图(a)所示,已知晶体管的fT=200MHz,Cb'e=5pF,rbb'=50Ω,re=5Ω,β0=50,略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响,试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
第10题
下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试:
第11题
在图所示的电路中,VT1、VT2参数相同,β=50,UEB=0.2V,rbb'=300Ω。求:(1)VT1、VT2的静态工作点;(2)、Ri和Ro。