图所示电路中VT1、VT2和VT3参数相同,β=100,rbb'=100Ω,hoe=20μS,UBE1=UEB2=UEB3=0.7V,调节Rb1使VT3的偏流IC3=
图所示电路中VT1、VT2和VT3参数相同,β=100,rbb'=100Ω,hoe=20μS,UBE1=UEB2=UEB3=0.7V,调节Rb1使VT3的偏流IC3=IQ。试计算:
(1)
(2)假设在保持偏流IC3=IQ不变的条件下令R1为零,则此时的又是多少?
图所示电路中VT1、VT2和VT3参数相同,β=100,rbb'=100Ω,hoe=20μS,UBE1=UEB2=UEB3=0.7V,调节Rb1使VT3的偏流IC3=IQ。试计算:
(1)
(2)假设在保持偏流IC3=IQ不变的条件下令R1为零,则此时的又是多少?
第1题
图题7.28所示电路中,VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb,与集一基结电容上ucb(t)的关系为:Ccb=kcucb(t)-0.5。(1)试求输出电压uo(t)的瞬时角频率表达式;(2)若C1=5pF,C2=100pF,L=1uH,VCC=10V,kc=1.75pF/V,uΩ(t)=cos(103t) (V),试写出uo(t)的表达式。
第2题
电路如图(a)所示,设VT1、VT2、VT3的rds均为无穷大,跨导分别为gm1、gm2、gm3;背栅跨导分别为gmb1、gmb2、gmb3。试计算、Ri。
第3题
题4-11图所示电路为OTL互补对称式输出电路。(1)在图中标出VT1和VT2管的类型;(2)简述电路具有双向跟随的作用。
第4题
下图所示电路中,设所有晶体管的β均为30,VT3和VT4的rbe=2.5kΩ,场效应管的gm=4mS,其他参数如图中所示,图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试:
第5题
电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。
第6题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第8题
微电流源电路同题6-8图所示。设UCC= 12V,R=38kΩ,UBE=0.6V,要使VT2管的IC2=10μA,电阻Re的值应为多大?
第9题
图5-23(a)为中频装置中并联逆变器,晶闸管VT3、VT4按400Hz交替触发,试分析电路中晶闸管导通关断过程和触发电路的工作原理。