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[主观题]

考虑半导体中的低密度传导电子，设温度与密度均匀，在x方向加一均匀、弱静电场，并设电流已达到稳恒状态．由于假

设传导电子的数密度低，满足非简并条件，故其零阶局域平衡分布为麦克斯韦分布，即

$考虑半导体中的低密度传导电子，设温度与密度均匀，在x方向加一均匀、弱静电场，并设电流已达到稳恒状态．$

为简单，设弛豫时间τ为常数(即忽略，随速度的变化)．试用弛豫时间近似计算电流及电导率．

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发布时间：2022-12-04

更多“考虑半导体中的低密度传导电子，设温度与密度均匀，在x方向加一均匀、弱静电场，并设电流已达到稳恒状态．由于假”相关的问题

第1题

N型半导体中的多数载流子是电子,因此，N型半与体帯负电。()

N型半导体中的多数载流子是电子,因此，N型半与体帯负电。（)

N型半导体中的多数载流子是电子，因此，N型半与体帯负电。()

A.错误

B.正确

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第2题

在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体()。

在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（)。

A.带正电

B.带负电

C.不带电

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第3题

假设半导体晶体受到电场E和磁场B的作用，且E在x-y平面上，B沿z方向，试在计入磁场对电子的各级作用下，推导半导

体电子在电磁场中的分布函数。

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第4题

半导体中的载流子为（)。

A正离子

B负离子

C电子

D自由电子和空穴

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第5题

在P型半导体中，（)为多数载流子。在N型半导体中，（)为多数载流子。

A、空穴，空穴

B、空穴，电子

C、电子，电子

D、电子，空穴

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第6题

N型半导体中的多子是（)。

A.电子

B空穴

C正离子

D负离子

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第7题

当半导体形成pn结时，p型中的空穴（或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型（或p型)中去呢？

当半导体形成pn结时，p型中的空穴(或n型中的电子)为什么不能不受限制地迁移到n型(或p型)中去呢？

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第8题

温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。()

温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。（)

A.正确

B.错误

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第9题

在掺杂半导体中，少子的浓度受（)的影响很大。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

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第10题

在一定范围内，神经纤维动作电位的传导速度与温度变化呈负相关。（)

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第11题

有髓纤维的传导速度（)

A、与纤维直径的平方成正比

B、与髓鞘厚度无关

C、与纤维直径成正比

D、不受温度影响

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