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[主观题]

绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()

绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()

A.正确

B.错误

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更多“绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()”相关的问题

第1题

绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()
绝缘栅双极型晶体管静态特性可分为可调电阻区、饱和区和击穿区。()

T.对

F.错

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第2题

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。

A.PowerMOSFET

B.GTR

C.GTO

D.IGBT

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第3题

绝缘栅双极型功率晶体管(IGBT)有何突出的优点?

绝缘栅双极型功率晶体管(IGBT)有何突出的优点?

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第4题

“IGBT”这个英文简称指的是()。

A.绝缘栅双极型晶体管

B.可关断晶体管

C.双极型晶体管

D.以上说法均不准确

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第5题

绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()
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第6题

绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()
绝缘栅双极型晶体管是一种双导通机制的复合器件。()

A.错误

B.正确

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第7题

达林顿复合管和电力晶体管属电流驱动型开关管;而电力场效应晶体管和绝缘栅型双极型晶体管则属
于电压驱动型开关管。()

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第8题

在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:()

A.GTO

B.MOSFET

C.PIC

D.IGBT

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第9题

计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为

计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ,ICQ)和FET的工作点(VDSQ,IDQ)。已知双极型晶体管为硅管,β=100,场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2,VP=-2V。

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第10题

前置放大器的三种类型中,属于双极型晶体管放大器的主要特点是()。

A.输入阻抗低

B.噪声小

C.高频特性较差

D.适用于低速率传输系统

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第11题

IGCT是()缩写。

A.静电感应晶闸管

B.集成门极换流晶闸管

C.静电感应晶体管

D.绝缘栅双极晶体管

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