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[主观题]

半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。（)

半导体材料导电能力的大小，由半导体内载流子的数目决定。()

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发布时间：2022-12-06

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第1题

电阻率与()反映半导体材料的导电能力。

A.载流子迁移率

B.禁带宽度

C.位错密度

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第2题

当半导体材料受光照射时，其导电能力会（)。

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第3题

光照射在某些半导体材料表面上时，半导体材料中有些电子和空穴可以从原来不导电的束缚状态变为能导电的自由状态，使半导体的导电率增加，这种现象叫（)

A、内光电效应

B、外光电现象

C、热电效应

D、光生伏特效应

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第4题

半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。()

半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间。（)

A.正确

B.错误

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第5题

半导体的导电能力随着温度的升高而降低。()

半导体的导电能力随着温度的升高而降低。（)

A.正确

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第6题

物质按导电能力的不同分类不包括().

A.导体

B.超导体

C.半导体

D.绝缘体

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第7题

电涡流式传感器是利用（)材料的电涡流效应工作的。

A.金属导电

B.半导体

C.非金属

D.PVF2

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第8题

半导体是一种导电能力介于（)与（)之间的物质。

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第9题

半导体的导电能力（).

A.与导体相同

B.与绝缘体相同

C.介乎导体和绝缘体之间

D.常温下非常高

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第10题

当温度降低时，半导体的导电能力将（)。

A、不变

B、减弱

C、增强

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第11题

用光子流强为Po、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知Eg＞hν＞qφe（φB为接

用光子流强为P_o、光子能量为hν的光照射一个由金属和n型半导体构成,的肖特基光电二极管。已知E_g＞hν＞qφ_e(φ_B为接触电势差)，则在金属层内产生的光生电子，有部分向半导体内发射。如金属中的光吸收系数为α，金属膜的厚度为l，则离光照的金属表面x处的光生电子逸入半导体的几率为e^-b(l-x)。金属中光生电子的量子产额为β。试证：

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