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[单选题]

已知某导线中载流子所带的电量为q，其单位体积内的载流子数为n，导线的横截面积为S，载流子的漂移速度的大小为v。设此导线内的电流强度为I;其中一段长度为d l的线元内的载流子个数为 d N。则有：（)

A.I = e n v S;dN = n S d l

B.I = e n v S;dN = n v S d l

C.I = q n v S;dN = n v S d l

D.I = q n v S;dN = n S d l

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发布时间：2022-12-04

更多“已知某导线中载流子所带的电量为q，其单位体积内的载流子数为n，导线的横截面积为S，载流子的漂移速度的大小为v。设此导线内的电流强度为I;其中一段长度为d l的线元内的载流子个数为 d N。则有：()”相关的问题

第1题

下列各题中，给出了三对对应点z1，ω1；z2，ω2；z3，ω3的具体数值，写出相应的分式线性变换。一个甚大金

一个甚大金属导体，挖去一个大小为60°的二面角，二面角的二等分面上有一带电细导线，平行于二面角的顶角线，相距为a，导线每单位长度带电量为e(如图6．7)，试求电势分布。

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第2题

对半导体而言，其正确的说法是（）。

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电

B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电

C.P型半导体和N型半导体本身都不带电

D.P、N型半导体都带负电

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第3题

若在禁带中心E存在单能级的快界面态（即Et=Ei)，其密度为Nstcm-2。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布，试证

若在禁带中心E存在单能级的快界面态(即E_t=E_i)，其密度为N_stcm^-2。设载流子填充快界面态遵从费米统计分布，试证明界面态电容C_ss(V_s)为

式中

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第4题

如图所示，长l、质量m、带电量q＞0的小角度单摆，摆动过程中受空气阻力f=－γυ，在摆动平面上有水平方向交变电场E=E

如图所示，长l、质量m、带电量q＞0的小角度单摆，摆动过程中受空气阻力f=-γυ，在摆动平面上有水平方向交变电场E=E₀cosωt，其中E₀为小量，且有，试求单摆的稳态解。

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第5题

已知一静电场E=-2λxex-2λyey，其中λ是实数，设某一时刻，在（x0，y0，z0)点沿z轴方向把带电粒子注入到此电场中，带

已知一静电场E=-2λxe_x-2λye_y，其中λ是实数，设某一时刻，在(x₀，y₀，z₀)点沿z轴方向把带电粒子注入到此电场中，带电粒子的质量为m，电荷电量为e，注入的初速度为v₀(v₀＜＜c)，求粒子的运动方程的解，并说明所得的解的物理意义。

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第6题

已知某梯形钢屋架与下部柱铰接，其型式及几何尺寸如图8.35所示，已计算出节点永久荷载为G1=24.71kN，节点可变

已知某梯形钢屋架与下部柱铰接，其型式及几何尺寸如图8.35所示，已计算出节点永久荷载为G₁=24.71kN，节点可变荷载为Q=16.38kN，节点屋架(包括支撑)自重G₂=6.13kN，节点屋面板及活荷载为F=24.71kN，请绘出屋架在进行内力计算时应考虑的三种荷载作用工况。

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第7题

研究一段直导线单位长损耗电阻。已知铜直导线的截面半径a=1mm，电导率σ=5.8×107S/m，求在f=0（直流和f=10GHz两

研究一段直导线单位长损耗电阻。已知铜直导线的截面半径a=1mm，电导率σ=5.8×10⁷S/m，求在f=0(直流和f=10GHz两种情况下的单位长损耗电阻；根据所推公式，给出双导线和同轴线的单位长分布电阻。

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第8题

某企业现有一台原值为15000元的设备P，估计该设备尚可使用5年，5年后的残值为1100元，年运行费为600元。市场上同种功能的设备Q，其总价为20000元，可使用12年，残值为1000元，年运行费为400元。已知在市场上设备P的折买价值为10000元，该企业有两种选择：A继续使用设备P；B改用新设备Q，折现率取10%，则（）有利于该企业。

A.选择A

B.选择B

C.选择A或B

D.不确定

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第9题

可以通过改变F—P腔中介质折射率的办法来调节F—P腔光学长度。如果利用改变腔内气体压强来改变其折

射率，已知折射率η=1+kP，P为气体压强，单位为大气压，k为常系数。假设标准具长度为0．2cm，精细度F为20，工作在波长为6328A，如果系数k=8×10-4／大气压力，给出标准具透过率随频率变化曲线。并求出 (1)标准具中气压变化多大范围才能使某一透过峰对应的频率变化一个自由光谱区； (2)F—P腔的自由光谱区； (3)腔内光子寿命及腔的Q值。

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第10题

在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体()。

在N型半导体中，多数载流子为电子，N型半导体（)。

A.带正电

B.带负电

C.不带电

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第11题

在无限大接地导体平面（YOZ平面)上方有一点电荷q，距离导体平面的高度为h。其静像电荷（)

A.在无限大接地导体平面(YOZ平面)上方2h处，电量为q

B.在无限大接地导体平面(YOZ平面)下方h处，电量为-q