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[主观题]

（1)证明对于均匀掺杂的基区，可简化为（2)若基区杂质为指数分布，即Na=N0e-αx/xB，推导出基区输运因子的表

(1)证明对于均匀掺杂的基区， $（1)证明对于均匀掺杂的基区，可简化为（2)若基区杂质为指数分布，即Na=N0e-αx/xB$ 可简化为

$（1)证明对于均匀掺杂的基区，可简化为（2)若基区杂质为指数分布，即Na=N0e-αx/xB$

(2)若基区杂质为指数分布，即N_a=N₀e^-αx/x_B，推导出基区输运因子的表示式．

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发布时间：2022-12-04

更多“（1)证明对于均匀掺杂的基区，可简化为（2)若基区杂质为指数分布，即Na=N0e-αx/xB，推导出基区输运因子的表”相关的问题

第1题

一均匀基区硅BJT的基区宽度为0.5μm，基区杂质浓度Na=1016cm-3．若穿通击穿电压期望值为BVBC=25V，集电区掺杂浓

一均匀基区硅BJT的基区宽度为0.5μm，基区杂质浓度N_a=10¹⁶cm^-3．若穿通击穿电压期望值为BV_BC=25V，集电区掺杂浓度为若干？如果不使集电区穿通，集电区宽度至少应大于多少？(硅相对介电常数k=11.9，ε₀=8.85×10^-14F/M，q=1.6×10^-19C)

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第2题

（1)设ωα和ωβ分别为BJT共基极和共射极截止频率，试证明：，式中α0为直流共基极电流增益．（2)证明：ωT≈hFEωβ≈α0ω

(1)设ω_α和ω_β分别为BJT共基极和共射极截止频率，试证明：，式中α₀为直流共基极电流增益．

(2)证明：ω_T≈h_FEω_β≈α₀ω_α·

(3)根据，解释BJT的基区宽度调变效应．

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第3题

为什么晶体管基区掺杂浓度小而且做得很薄？

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第4题

三极管BJT制作时，通常基区掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则很高。()

三极管BJT制作时，通常基区掺杂浓度低；发射区的杂质浓度则很高。（)

A.正确

B.错误

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第5题

晶体管的内部放大条件是：发射区重掺杂，基区轻掺杂且宽度很窄，集电极面积大等。()

晶体管的内部放大条件是：发射区重掺杂，基区轻掺杂且宽度很窄，集电极面积大等。（)

A.正确

B.错误

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第6题

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A.基区很薄且掺杂浓度很低

B.发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C.基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D.集电区面积大于发射区面积

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第7题

刻槽埋栅电池的叙述不正确优点是()。

A.埋栅电报处实行重掺杂有利于形成欧姆接触，提高电池的开路电压

B. 栅指电极埋入电池表面无遮光，提高短路电流密度

C. 埋栅电极深入到硅衬底内部增加了基区光生电子复合

D. 淡磷扩散减少“死层”的形成，增加对长波的响应

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第8题

某金属与均匀掺杂的n－Si材料接触，组成肖特基势垒二极管，已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV，ND=5×1016cm－3，

某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触，组成肖特基势垒二极管，已知半导体一边的势垒高度qV_D=0.6eV，N_D=5×10¹⁶cm^-3，试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中最大电场及单位面积的势垒电容，并做出该器件的1/C²与(V_D-V)的关系曲线。

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第9题

设有一均匀掺杂n-GaAs晶体，其平衡电子浓度为n0，由于介质中某些不均匀件或热扰动使电子浓度产生一增量δn。

设有一均匀掺杂n-GaAs晶体，其平衡电子浓度为n₀，由于介质中某些不均匀件或热扰动使电子浓度产生一增量δn。

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第10题

现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n－Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10－3W／cm2

现有一块掺杂浓度N_D=10¹⁶cm²的n-Ge的样品，其厚度d＞＞L_p，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10^-3W/cm²的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10^-3s，电子迁移率μ_n=2800cm²/(V·s)，空穴迁移率μ_p=700cm²/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10^-34J·s，光速C=3×10¹⁰cm/s(如图所示)。