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更多“若过剩载流子浓度△n、△p与热平衡载流子浓度相比不能忽略时，就必须做电子和空穴同时扩散和漂移的双极情况处理”相关的问题
第1题
试用霍耳系数的定义和载流子所受洛伦兹力，粗略地证明P型半导体的霍耳系数
第2题
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
第4题
第9题
A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电
B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电
C.P型半导体和N型半导体本身都不带电
D.P、N型半导体都带负电
第10题
作为载流子，同时存在空穴和电子时，试证明塞贝克电压VS为
(1)
其中
σp，σn，αp和αn分别为空穴和电子的电导率及塞贝克系数，而且，σ=σp+σn，Vg=Eg/g。
