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[主观题]
试求晶体二极管在室温下（T=300K)的散弹噪声均方值电流。已知IQ=1mA，BWn=1MHz。
试求晶体二极管在室温下(T=300K)的散弹噪声均方值电流
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试求晶体二极管在室温下(T=300K)的散弹噪声均方值电流
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更多“试求晶体二极管在室温下（T=300K)的散弹噪声均方值电流。已知IQ=1mA，BWn=1MHz。”相关的问题
第1题
由二极管D和电阻R串联组成如图4-80所示电路，若考虑二极管的散弹噪声和电阻热噪声，试求在室温下(T=300K)二极管两端输出的总噪声均方值电压
第3题
现有一块掺杂浓度ND=1016cm2的n-Ge的样品，其厚度d＞＞Lp，在样品上表面用波长λ=0.75μm，其强度p=4.4×10-3W/cm2的红光垂直照射，除反射之外，其余全部在表面薄层△d=0.1μm的厚度之内被均匀吸收，产生非平衡载流子△p=△n为小注入。设其量子产额β=1，表面对这种光的反射系数R=40%，光生载流子的寿命τ=1.82×10-3s，电子迁移率μn=2800cm2/(V·s)，空穴迁移率μp=700cm2/(V·s)，普朗克常数h=6.6×10-34J·s，光速C=3×1010cm/s(如图所示)。
试求：室温(300K)下样品光照面和底面之间的开路电压Vx。
第4题
用增强硅靶摄像管摄取图像信息，其光电流灵敏度为2×105μA/lm，负载电阻RL=100kΩ；用场效应管作前置放大器，其跨导为1.75mA/V，总分布电容C=23pF。若工作在室温300K下入射光通量的平均值为1.5×10-6lm，设上限频率为10MHz，求信噪比S/N为多少dB？
第5题
已知图(a)所示网络在单位冲激电压激励下的零状态响应u2(t)=
第7题
已知Ne原子的某一激发态和基态的能量差E2-E1=16.7eV，试计算T=300K时在热平衡条件下，处于两级上的原子数的比．
第8题
设有一连续系统如图J8．12所示。 试求(1)系统的状态变量方程和输出方程； (2)根据状态变量方程和输出方程求系统的H(s)及微分方程； (3)系统在f(t)=ε(t)作用下，输出响应为
第9题
在等直径管中充满不可压缩的理想液体，此液体在按单摆变化规律的压力梯度
