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[主观题]

按性能对下列ROM对应画线 (1)MaskROM 由用户一次性写入,写入后,不能更改 (2)ORPROM 由用户写入,电可

按性能对下列ROM对应画线

(1)MaskROM 由用户一次性写入,写入后,不能更改

(2)ORPROM 由用户写入,电可擦除,可反复多次使用,价格低廉

(3)EPROM 由生产厂商写入,用户不能擦写,不能更改

(4)E2PROM 由用户写入,紫外线擦除,可反复多次使用

(5)Flash ROM 由用户写入,电可擦除,可反复多次使用,价格较高

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更多“按性能对下列ROM对应画线 (1)MaskROM 由用户一次性写入,写入后,不能更改 (2)ORPROM 由用户写入,电可”相关的问题

第1题

按下列标记符号的解释对应画线。 (1)NUMB 发送/接收寻址字节内RAM存储单元 (2)SLA 虚拟I2C总线时钟线

按下列标记符号的解释对应画线。

(1)NUMB 发送/接收寻址字节内RAM存储单元

(2)SLA 虚拟I2C总线时钟线

(3)VSDA 发送/接收数据字节数N内RAM存储单元

(4)MTD 虚拟I2C总线数据线

(5)VSCL 发送数据内RAM存储区首地址

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第2题

存储器按功能分为()。

A.易失性存储器和永久性存储器

B.寄存器、Cache、主存和辅存

C.半导体、磁盘和光盘

D.RAM、ROM和SAM

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第3题

按下列要求传送数据:设ROM(4000H)=44H

按下列要求传送数据:设ROM(4000H)=44H

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第4题

某计算机主存容量为64KB,其中ROM区为4KB,其余为RAM区,按字节编址。现用2K×8位的ROM芯片和4K×4位的RAM芯片来设计该存储器,则需要上述规则的ROM芯片数和RAM芯片数分别是()。

A.1、15

B.2、15

C.1、30

D.2、30

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第5题

下列说法中()是正确的。

A.半导体ROM 信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B.半导体ROM 是非易失性的,断电后仍然能保持记忆

C.半导体ROM 是非易失性的,断电后也不能保持记忆

D.EPROM 是可改写的,因而也是随机存储器的一种

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第6题

根据琼斯(E.F.Jones)和戴维斯(K.Davis)提出的对应推论说,在下列哪种情况下,观察者更有可能对行为主体进行对应推论( )

A.主体行为的社会合意程度和自由选择性均高

B.主体行为的社会合意程度和自由选择性均低

C.主体行为的社会合意程度高而自由选择性低

D.主体行为的社会合意程度低而自由选择性高

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第7题

若R0=40H,(40H)=79H,(41H)=1FH,DPTR=IFDFH,ROM(2000H)=ABH,Cy=1,将依次执行下列指令后的结果写在注释区。 M

若R0=40H,(40H)=79H,(41H)=1FH,DPTR=IFDFH,ROM(2000H)=ABH,Cy=1,将依次执行下列指令后的结果写在注释区。

MOV A,41H

ADDC A,#00H

INC DPTR

MOVC A,@A+DPTR

DEC 40H

ADD A,@R0

INC R0

SUBB A,R0

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第8题

在UN.I.X系统中,有关文件在磁盘索引结点中的权限字段被按(1)分成三组,每一组中按序规定了是否

在U

N.

I.X系统中,有关文件在磁盘索引结点中的权限字段被按(1)分成三组,每一组中按序规定了是否能对文件进行(2)操作。

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第9题

下列叙述中,正确的是()。

A.个人计算机中,可以不用ROM,但不能没有RAM

B.SRAM和DRAM中的信息断电后都会丢失

C.Flash存储器是一种非易失性的存储器

D.EEPROM是一种EPROM的新品,但其擦除原理不同

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第10题

下列叙述中,正确的是()。

A.SRAM和DRAM中的信息断电后都会丢失

B.Flash存储器是一种非易失性的存储器

C.EEPROM是一种EPROM的新品,但其擦除原理不同

D.个人计算机中,可以不用ROM,但不能没有RAM

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第11题

下列关于存储器的说法正确的是()。

A.RAM是随机存储器,且断电后信息不会丢失

B.RAM属于易失性存储器,但静态RAM存储信息是非易失性的

C.静态RAM和动态RAM都属于易失性存储器,断电后存储的信息立即消失

D.ROM不用刷新,且集成度比动态RAM高,断电后存储的信息立即消失

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