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[单选题]

下列说法中()是正确的。

A.半导体ROM 信息可读可写,且断电后仍能保持记忆

B.半导体ROM 是非易失性的,断电后仍然能保持记忆

C.半导体ROM 是非易失性的,断电后也不能保持记忆

D.EPROM 是可改写的,因而也是随机存储器的一种

答案
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更多“下列说法中()是正确的。A.半导体ROM 信息可读可写,且断电后仍能保持记忆B.半导体ROM 是非易失”相关的问题

第1题

下列关于P型半导体的说法正确的是()。

A.自由电子`数大于空穴总数

B.空穴总数远大于自由电子数

C.自由电子成为多数载流子

D.空穴成为少数载流子

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第2题

下列关于N型半导体的说法正确的是()。

A.自由电子数大于空穴总数

B.空穴总数远大于自由电子数

C.自由电子成为少数载流子

D.空穴成为多数载流子正确答案:A

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第3题

对半导体而言,其正确的说法是()。

A.P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电

B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电

C.P型半导体和N型半导体本身都不带电

D.P、N型半导体都带负电

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第4题

下述说法中______是正确的。

A. 半导体RAM信息可读可写,且断电后仍能保持记忆;

B.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM中的存储信息是不易失的;

C.半导体RAM是易失性RAM,而静态RAM只有在电源不掉时,所存信息是不易失的。

D.两者所存信息都是不易失的。

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第5题

下列存储器中,速度最慢的是()。
下列存储器中,速度最慢的是()。

A.半导体存储器

B.光盘存储器

C.磁带存储器

D.硬盘存储器

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第6题

在同时比较三种基本放大电路的特点时,下列描述正确的是()。

A.共射电路的Ri最大

B.共集电路的Av最小

C.共基电路的Av最小

D.共射电路的Ro最小

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第7题

下列传感器中()是基于压阻效应的。

A.金属应变片

B.半导体应变片

C.压敏电阻

D.热敏电阻

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第8题

下列选项中,那种类型的绝缘子具有损坏后“自爆”的特性()。

A.陶瓷绝缘子

B.硅橡胶绝缘子

C.玻璃绝缘子

D.半导体釉绝缘子

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第9题

N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半与体帯负电。()
N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半与体帯负电。()

N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半与体帯负电。()

A.错误

B.正确

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第10题

下列选项中,哪种类型的绝缘子不具有损坏后“自爆”的特性()

A.陶瓷绝缘子

B.玻璃绝缘子

C.硅橡胶绝缘子

D.半导体釉绝缘子

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