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[主观题]

如图所示系统，Hi（jω)为理想低通特性：。

如图所示系统，H_i(jω)为理想低通特性： $如图所示系统，Hi（jω)为理想低通特性：。如图所示系统，Hi(jω)为理想低通特性：。$ 。

如图所示系统，Hi（jω)为理想低通特性：。如图所示系统，Hi(jω)为理想低通特性：。

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发布时间：2022-12-04

更多“如图所示系统，Hi（jω)为理想低通特性：。”相关的问题

第1题

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某低通滤波器具有非线性相移特性，而幅频响应为理想特性。若H(jω)表示式为H(jω)=H_i(jω)e^-j△φ(ω)，其中H_i(jω)为理想低通传输特性(见上题)，△φ(ω)《1，并可展开为。试求此系统的冲激响应，并与理想低通滤波器之冲激响应相比较。

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第2题

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第5题

已知系统的取样频率为4000Hz，即T=250μs。按照窗函数法设计一个长度N=11的低通FIR滤波器，使其频率特性与截止

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接近。

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第6题

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如图所示为应用运放测电阻的电路，如果在图示情况下，输出端的电压表指示在满刻度上，则被测电阻R_x等于多少？设运放具有理想特性。

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第8题

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第9题

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假设接收二进制振幅键控2ASK信号的接收系统组成框图如图所示。设输入信号为

式中

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第10题

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磁路如图所示，铁心部分用D₂₁硅钢片制成。k_Fe=0.94，l₁=6cm，l₂=3cm，空气隙δ=2mm，铁心截面为正方形，a=b=1cm。欲使磁路磁通Φ=9×10^-5Wb，求所需磁通势。(表为硅钢片的磁化特性数据表)

表11-1 D₂₁硅钢片磁化特性数据表 (A/m)

B/T	0	0.01	0.02	0.03	0.04	0.05	0.06	0.07	0.08	0.09
0.8	340	348	356	364	372	380	389	398	407	41 6
0.9	425	435	445	455	465	475	488	500	512	524
1.0	536	549	562	575	588	602	616	630	645	660
1.1	675	691	708	726	745	765	786	808	83l	855
1.2	880	906	933	961	990	1020	1050	1090	1120	1160
1.3	1 200	1250	1300	1350	1400	1450	1500	1560	1620	1680
1.4	1 740	1820	1890	1980	2060	2160	2260	2380	2500	2640