P+N结杂质分布Na=常数,Nd=Nd0e-x/L,导出C-V特性表达式.
P+N结杂质分布Na=常数,Nd=Nd0e-x/L,导出C-V特性表达式.
P+N结杂质分布Na=常数,Nd=Nd0e-x/L,导出C-V特性表达式.
第2题
测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下
VR(V) | 0 | 0.5 | 1 | 1.5 | 2 | 2.5 | 3 |
CT(pF) | 20 | 17.3 | 15.6 | 14.3 | 13.3 | 12.4 | 11.6 |
pn结面积A=4×10-4cm2,试求该p+n结的内建电场VD和ND。
第3题
在P+N结二极管中,N区的宽度Wn远小于Lp,用=qS△pnA(S为表面复合速度)作为N侧末端的少数载流子电流,并以此为边界条件之一,推导出载流子和电流分布.绘出在S=0和S=∞时N侧少数载流子的分布形状(数值解).
第5题
若P+N二极管N区宽度Wn和扩散长度同一数量级,推导小信号交流空穴分布和二极管导纳,假设在x=Wn处表面复合速度无限大.
第6题
若在GaAs LED中,μn/μp=30,Na=Nd,证明与电子电流相比较,空穴扩散电流可以忽略.
第7题
在室温下,若n型硅品片的杂质浓度为ND=1016cm-3,后来加重掺杂的p区杂质浓度为NA=1018cm-3,计算其接触势φ、耗尽层厚度d以及耗尽层电容C0/A。
第8题
在一个金属-硅的接触中,势垒高度为=0.8eV,有效理查森常数为R*=102A/(cm2·K2),Eg=1.1eV,Nd=1016cm-3,Nc=Nv=1019cm-3.
第9题
(1) 将含有杂质P的硅晶体提纯到杂质浓度ND=1012cm-3,估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。(2) 将含有杂质P的硅晶体重掺杂到ND=1019cm-3,估算此半导体中本征区和饱和区、饱和区与冻结区的交界温度。
第10题
设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管,已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV,ND=1015cm-3,Nc=2.8×1019cm-3,电子亲和能χ=4.05eV,Ip=10μm,Dp=15cm2/s,ni=1.5×1010cm-3,A*=252A/cm2K2(里查德常数),求: