设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管,已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV,ND=1015cm-3,Nc=2.8×
设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管,已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV,ND=1015cm-3,Nc=2.8×1019cm-3,电子亲和能χ=4.05eV,Ip=10μm,Dp=15cm2/s,ni=1.5×1010cm-3,A*=252A/cm2K2(里查德常数),求:
设某金属与(111)晶面n-Si组成肖特基二极管,已知其接触后半导体一边的势垒高度为0.50eV,ND=1015cm-3,Nc=2.8×1019cm-3,电子亲和能χ=4.05eV,Ip=10μm,Dp=15cm2/s,ni=1.5×1010cm-3,A*=252A/cm2K2(里查德常数),求:
第1题
某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触,组成肖特基势垒二极管,已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV,ND=5×1016cm-3,试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中最大电场及单位面积的势垒电容,并做出该器件的1/C2与(VD-V)的关系曲线。
第2题
已知黄铁矿(FeS2,愚人金,属立方晶体),试作图(取c与纸面垂直)示意其晶面(010)、(110)、(210)、(111)的位置。
第4题
观察戴维逊一革末衍射实验某金属单晶(晶面间距d为104pm)的反射,若一级衍射的布拉格角控制为45°,则此实验要用()加速电压(单位:V)来加速电子。
A.<10
B.25
C.70
D.150
第6题
A.(311)
B.(200)
C.(210)
D.A和B。
第8题
A.等王某病好再召开股东会
B.由副董事长肖某主持
C.由5名以上董事推举的人主持
D.由监事会监事主持
第9题
A.一审法院对盗窃罪判刑错洪
B.一审法院告知孙某的上诉期错误
C.二审法院发回重审错误
D.原审人民法院合议庭组成错误
第10题
A.交由该院审理该案件的合议庭重新处理
B.由肖某指派审判员另行组成合议庭重新审理
C.提交本院审判委员会处理
D.必须会同同级人民检察院共同处理
第11题
A、(410)
B、(140)
C、(120)