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[主观题]

已知烃类混合物的组成如下表所列,用Chao-Seader法计算该混合物在638kPa压力下的泡点。 编号

已知烃类混合物的组成如下表所列,用Chao-Seader法计算该混合物在638kPa压力下的泡点。

编号

1

2

3

4

5

6

组分

i-C_4^0

n-C_4^0

n-C_4^=

反-2-C_4^=

顺-2-C_4^=

C5

摩尔分数

0.0023

0.0012

0.1437

0.3465

0.2763

0.2300

1.0000

答案
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第1题

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用气相渗透仪测定某聚苯乙烯试样的相对分子质量,溶液浓度(ci)和电桥不平衡信号(△Gi)数据如下表。用已知相对分子质量的标定物质测得仪器常数Ks=23.25×103,求此聚苯乙烯的相对分子质量。

c/(g/kg)

36.47

65.27

81.08

111.76

△Gi

657.6

1187.7

1456.0

2021.3

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第4题

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已知某种品牌的洗衣机1990~2004年的年总销售额如下表:

年份年总销售额(万元)
19901434.1
19911478.86
1992920.61
19931252.11
19941594.57
19951949.95
19962064.73
19971981.6
19982066.02
19992664.09
20003081.13
20014051.16
20024413.32
20035188.05
20047609.27

要求:用龚珀兹预测出2005~2006年产品的销售额。

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第5题

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A银行的部分财务数据如下表所列,根据这些数据核心资本充足率为:

A.6.6%

B.6.68%

C.7.68%

D.以上选项都不正确

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第6题

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气体混合物的组成见下表,气体混合物的压力为2.2MPa,冷凝温度为-18℃,试计算部分冷凝后汽液相组成及液化率。

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第7题

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用简易GPC测定某聚乙酸乙烯酯的数据如下表:

Ve

13

14

15

16

17

18

19

20

21

22

23

Hi

0

0.01

0.06

0.13

0.22

0.29

0.25

0.16

0.10

0.04

0

已知校准方程是lgM=9.13-0.204Ve,分别用定义法和函数适应法计算。若测得σ0=0.9,考虑加宽效应改正后按定义法计算

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第8题

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测量Fe和Pb的小角度晶界能和晶界两侧的取向差的数据如下表所列。①证明它们符合的关系,设A≈1,估计值。②把估计的值和理论计算的值作比较。,设泊松比ν都为1/3。

Fe0/(°)2.13 4.73 5.32 5.90 7.69 13.4
γ/J·m-20.227 0.473 0.587 0.612 0.761 0.973
Pbθ/(°)2.85 3.42 6.27 8.00 12.00
γ/J·m-20.065 0.081 0.115 0.122 0.149
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第9题

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某振弦式位移传感器的标定数据如下表所示,若已知,位移λ和传感器谐振频率f的关系为

λ=A(f2-)+B(f-f0)

试根据标定数据用最小二乘法确定式中的待定系数A、B。

振弦式位移传威器的标定数据

正程位移

/mm

0.009.9620.0129.9640.0049.9659.9970.0080.0390.0099.96
输出频率

/Hz

1173.21252.81330.61407.31481.21552.71618.21683.11746.11807.81858.9
逆程位移

/mm

0.0010.0120.0030.0140.0049.9860.0369.9980.0590.06
输出频率

/Hz

1172.61253.11331.71412.51488.81560.41626.81688.61744.11802.9
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第10题

建华公司是一家有多年生产历史的彩电显像管生产厂家,2002年原有生产设备面临更新改造,公司拟投资
100万元引进新的生产线,但注意到此时市场对VCD音响设备要求明显上升,预计若投资生产能有较高报酬率。 已知VCD生产设备投资也是100万元,且都是当年投资、第二年投产,但由于是新兴行业,可能风险较大,为在两者之间作出正确选择,公司经理要求销售、生产、采购等部门就相关资料进行调查后,由财务部门负责汇总分析,并写出投资分析报告。 一个月后,财务部从销售等部门获得如下表所列关于投产后各年税后利润资料(汇总):

另外,显像管和VCD生产线使用年限均为5年,无残值,公司采用直线法折旧,公司无风险最低报酬率为10%,风险报酬斜率为0.09。 假定你是该公司财务部经理,请问你在投资分析报告中会建议公司总经理选择哪项投资?

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第11题

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用MOSFET组成如下图所示的分压器电路。已知FET的工艺参数k=0.05mA/V2,VTH=3V。若输入信号VI=100mV时,要求输出电压Vo=60mV,问此时应给FET加多大的栅极电压VG

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