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[主观题]
电荷均匀分布在一无穷长圆柱内，电荷体密度为ρ，在其中挖去一无穷长的空腔，空腔与圆柱轴向平行，相距为a，求腔
中任一点的场强．
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更多“电荷均匀分布在一无穷长圆柱内，电荷体密度为ρ，在其中挖去一无穷长的空腔，空腔与圆柱轴向平行，相距为a，求腔”相关的问题
第1题
已知静电场为：E=ex3yz+ey(3xz - 6y2)+ez3xy。试求其电位φ0，并求电荷密度。 (2)已知圆柱(半径为a)中沿轴向的电流密度为J=ezkr2(r≤a)。试用两种方法求出圆柱内的磁场强度H。
第2题
(1) 在直线静止系中确定力，然后用四维力变换公式；
(2) 直接计算线电荷和线电流作用在运动电荷上的电磁力。
第3题
无限大导体平面上方有一电荷线密度为ρl的长直线电荷，电荷线与平面的距离为b，求此电荷线单位长度所受的力。
第4题
假设单位面积上有正电荷Qo位于二氧化硅层内，导出使能带平直所需的平带电压．如果氧化层中正电荷连续分布，电荷体密度为ρ(x)，导出平带电压的表达式．
第6题
苯环上氢被一CN取代后，碳原子的δC的变化规律是()。
A．一CN的电子将离域到苯环的兀电子体系上，增加了邻位和对位碳上的电荷密度，使邻位和对位碳化学位移值减小
B．一CN的电子将离域到苯环的兀电子体系上，增加了邻位和对位碳上的电荷密度，使邻位和对位碳化学位移值增加
C．使苯环上丌电子离域到一CN上，减少了邻、对位碳上的电荷密度，使邻位和对位碳化学位移值减小
D．使苯环上兀电子离域到一CN上，减少了邻、对位碳上的电荷密度，使邻位和对位碳化学位移值增加
第7题
自由硅表面的施主浓度为1015cm-3，均匀分布的表面态密度为Dss=1011cm-2·eV-1，电中性能级位于Ev+0.3eV．计算该表面的表面势．
[提示]首先求出费米能级与电中性能级之间的能量差，存在于这些表面态中的电荷必定与表面势所承受的耗尽层电荷相等．
第8题
半径为R0的球体内的体电荷密度ρ=Bcosθ，如图其中b为常数，求此带电球在远处P点的电势(精确到电偶极矩的电势)。
第9题
重原子的核可粗略地看作是电荷密度恒定的物质小球，电荷体密度
第10题
重原子核可粗略地看作是电荷密度恒定的物质小球，电荷体密度
第11题
一理想细导线连接两个金属小球，假设电荷密度为
ρ(x，t)=[δ(z-a)-δ(z+a)]δ(x)δ(y)Qcosω0t
电流通过细导线在两金属球之间流动，a、Q、ω0均为常数。
(1) 在偶极近似下，计算向单位立体角发射的平均功率
(2) 偶极近似在什么条件下有效？
(3) 精确计算
