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[单选题]

磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反(θ=180°)时,霍尔电势(),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。

A.绝对值相同,符号相反

B.绝对值相同,符号相同

C.绝对值相反,符号相同

D.绝对值相反,符号相反

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更多“磁场垂直于霍尔薄片,磁感应强度为B,但磁场方向与原磁场强度相反(θ=180°)时,霍尔电势(),因此霍尔元件可用于测量交变磁场。”相关的问题

第1题

金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。()
金属或半导体薄片置于磁场中,当有电流流过时,在平行于电流和磁场的方向上将产生电动势,这种物理现象称为霍尔效应。()

A.正确

B.错误

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第2题

下列选项()是描述介质中实际的磁场强弱和方向的物理量。

A.磁通

B.磁感应强度

C.磁场强度

D.磁导率

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第3题

两块磁铁格各自两极间的磁通取决于()。

A.各自的磁场感应强度

B.各自的磁力线方向

C.各自垂直于磁场方向的面积

D.BS

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第4题

在工作电流为20mA,磁感应强度B=0.1T的情况下,集成霍尔元件的输出达()mV.

A.25

B.35

C.15

D.5

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第5题

测量磁感应强度常用霍尔效应法。()
测量磁感应强度常用霍尔效应法。()

A.正确

B.错误

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第6题

公式EH=KHIBcosθ中的角θ是指()。
公式EH=KHIBcosθ中的角θ是指()。

A.磁力线与霍尔薄片平面间的夹角

B.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角

C.磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角

D.以上皆不是

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第7题

公式EH=KHIBcosθ中的角θ是指()。

A.磁力线与霍尔薄片平面之间的夹角

B.磁力线与霍尔元件内部电流方向的夹角

C.磁力线与霍尔元件内部电流反方向的夹角

D.磁力线与霍尔薄片的垂线之间的夹角

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第8题

安培环路定理说明静磁场并不是唯一由电流产生,但磁感应线一定包围电流。()
安培环路定理说明静磁场并不是唯一由电流产生,但磁感应线一定包围电流。()

A.错误

B.正确

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第9题

根据安培定律,平直通电导线周围的磁场()。

A.与导线平行

B.以导线为圆心的同心圆

C.随机

D.垂直于导线

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第10题

“穿过任意闭合面的磁感应强度的能量为0。”这句话可以是描述的什么?()

A.电流连续性

B.磁通连续性

C.安培环路定律

D.库仑定律

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第11题

半径为a的圆线圈置于磁感应强度为B的均匀磁场中,线圈平面与磁场方向垂直,线圈电阻为R,当把线圈转动使其方向与B的夹角α=60时,线圈中已通过的电量与线圈面积及转动的时间的关系是()。

A.与线圈面积成正比,与时间无关

B.与线圈面积成正比,与时间正比

C.与线圈面积成反比,与时间正比

D.与线圈面积成反比,与时间无关

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