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[主观题]

图所示为一单面转子整机动平衡结构图,试分析其测试原理。

图所示为一单面转子整机动平衡结构图,试分析其测试原理。

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更多“图所示为一单面转子整机动平衡结构图,试分析其测试原理。”相关的问题

第1题

如图2所示为某一单面织物的编织图。试指出:
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第2题

图所示的是一个正弦波振荡器结构图,试分析应如何选择Yi(i=1~5),即可实现正弦波振荡器。

图所示的是一个正弦波振荡器结构图,试分析应如何选择Yi(i=1~5),即可实现正弦波振荡器。

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第3题

如题10一24图所示,转子质量m=50kg。安在长l=0.6m的钢轴中央,轴的角速度ω=804rad/s,钢的弹性模量E=
210GPa。为避免共振,必须ω≤0.7ωer或ω≥1.3ωer。试计算在此两种情况下,轴应有的直径d为多大?

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第4题

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第5题

图所示为一机床频率响应测试系统,试分析其结构组成及测试原理。

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第6题

图所示为一汽车振动测试原理图,试分析其测试原理并提出汽车亚顺性测试方法。

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第7题

图9.5.7所示为一窄脉冲输入单稳态电路,试说明其工作原理。

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第8题

图4-31所示为一测量装置,可用压力p2指示间隙宽度x。灵敏度被定义为p2对x的变化,即dp2/dx。试求出灵敏度最大的

图4-31所示为一测量装置,可用压力p2指示间隙宽度x。灵敏度被定义为p2对x的变化,即dp2/dx。试求出灵敏度最大的条件。

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第9题

图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5

图3-17所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若V1=200mV,,VGS(th)=1.5V,试分别求出VGS=2.5V、3V时的VO。值,并进行分析。

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第10题

如题8一12图所示,一包裹以速度v=3m/s在距地面高为h=1m的传送带上滑向半圆柱体。试求:(1)该包裹离

如题8一12图所示,一包裹以速度v=3m/s在距地面高为h=1m的传送带上滑向半圆柱体。试求:(1)该包裹离开圆柱体时角θ值;(2)它落地时的距离x值。不汁摩擦和空气阻力。

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第11题

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若VI=200 mV,μnCoxW/(2l)=0.01mA

图LP3-15所示为分压式衰减电路,已知EMOS场效应管工作在非饱和区,若VI=200 mV,μnCoxW/(2l)=0.01mA/V2,VGS(th)=1.5 V,试分别求出VGS=2.5 V、3 V时的VO值,并进行分析。

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