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试由速率方程求半导体光放大器的(1)增益和入射光功率P0的关系式；(2)增益和输出光功率Pl的关系式；(3)饱和输出光功率Psat的表示式；(4)小信号增益G0=30dB时的Psat。
答案
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第1题
波长1300nm的InGaAsP行波半导体光放大器(SOA)具有以下参数：
| 符号 | 参 数 | 值 |
| W | 有源区宽度 | 3μm |
| d | 有源区厚度 | 0.3μm |
| l | 放大器长度 | 500μm |
| Γm | 光约束因子 | 0.3 |
| τ | 载流子寿命 | 1nm |
| Ag | 受激辐射因子 | 1.72×10-12m2/s |
| v | 有源区中光速 | 0.86×108m/S |
| Str | 透明载流子寿命 | 1×1024m-3 |
求偏置电流为100mA及200mA时，SOA的小信号增益系数
第2题
波长1300nm的InGaAsP行波半导体光放大器(SOA)具有以下参数：
求偏置电流为100mA及200n1A时，SOA的小信号增益系数gmode0和小信号增益(以dB表示)。
第3题
已知掺铒光纤放大器中铒离子浓度n=2×1018cm-3，σ12(v)=σ21(v)=2×10-21cm2，σ13(vp)=4×10-21cm2，l=15m。当输入泵浦光功率Pp0=100mW时放大器的小信号增益GdB0=0dB，试求Pp0=100mW时光纤放大器的小信号增益(以dB为单位)。
第4题
求光放大器的小信号增益的半值线宽δv；(2)有一多普勒非均匀加宽行波光放大器，其自发辐射线宽△vD)=340MHz，中心频率小信号增益G0(v0)=5000，试求其小信号增益的半值线宽δv。
第5题
某负反馈电路中的基本放大器由三级放大电路组成，每级增益为A1，增益稳定度为dA1/A1=B1。施加负反馈后，若要求反馈放大器的增益稳定度dAf/Af=B2(B2＜B1)，试写出该反馈放大器的反馈深度F与B1、B2之间的关系。
第6题
(1)推导输出信号光强I2和输入信号光强I1的关系式； (2)求能从此放大器提取的最大单位面积功率。
第7题
当把表2．1．1中反相放大器的Zf用电容C代替时，反相放大器就变为积分器，如图2．3．6(a)所示。设A为理想运放，R=50 kΩ，C=1μF，输入电压v1的波形如图2．3．6(b)所示的方波，试画出输出电压vo。的波形(t=0时，vo=0)。 (2)设电路参数改为输入电阻Ri=10 kΩ，积分时间常数为l0-3s，试求电路在10 rad／s和1 rad／s时的增益幅值和相角。
第8题
有一均匀加宽未饱和光放大器，其工作物质具有洛伦兹线型，△
=2GHz。放大器的中心频率小信号增益分别为30dB和20dB。求放大器输出端的放大的自发辐射(ASE)线宽
。
第9题
用F007集成运放构成反相放大器，已知R1=20kΩ，Rf=370kΩ，RL=20kΩ，当差模增益Avd=104，Rid=2MΩ，Rod=75Ω，试求增益A'vf=vo/vs，并指出与采用理想运放得到的Avf之间的相对误差。
第10题
=200μV，求中心频率时，其余各端口的输出电压的模及相位。
第11题
图8．4．8为对物理量x采样的部分电路框图。其中传感器输出与输入关系为v1=2e4x，采样保持器(S／H)本身增益为1，程控增益放大器(PGA)的增益可为100以下的任意整数，ADC为采用截断量化方式、满量程范围FSR=10V的10位数字量输出的逐次逼近型转换器。试回答下面问题：
(a)说明非线性补偿电路类型，预实现vo1=2x关系，求非线性补偿电路表达式； (b)简述采样保持器S／H在该应用电路中的作用； (c)简述程控增益放大器
