放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答: (1)调整Rb1为何值时,才能使两管的集电极静态
放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答:
(1)调整Rb1为何值时,才能使两管的集电极静态电流IC1=IC2;
(2)计算放大电路的输入电阻Ri;
(3)计算电压放大倍数。
提示:T2,Re2,Rb2和Rb3组成电流源,取代T1管的集电极电阻,即IC2为恒定值。
放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答:
(1)调整Rb1为何值时,才能使两管的集电极静态电流IC1=IC2;
(2)计算放大电路的输入电阻Ri;
(3)计算电压放大倍数。
提示:T2,Re2,Rb2和Rb3组成电流源,取代T1管的集电极电阻,即IC2为恒定值。
第1题
共集电路如下图所示,硅管的β=49,rbe=0.9kΩ,试解答:
(1)求出输入电阻Ri;
(2)算出电压放大倍数和。
第2题
若在上题图所示差分放大电路中以T1管的集电极对地作为输出,参数与上题相同,试回答上题所提出的两个问题;若以T2管的集电极对地作为输出,Ad将有何变化?
第3题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第5题
判断下图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。
第6题
电路如下图所示,VCC=15V,设VT4、VT5管的饱和压降可以忽略,RF=3.8kΩ,R1=200Ω。问:
第8题
判断图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。
第9题
放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V,则该三极管是()。
A.PNP锗管
B.PNP硅管
C.NPN锗管
第10题
一均匀加宽、高增益环形激光器,其结构如下图所示,四块反射镜的反射率分别为r1=0.9,r2=0.7,r3=0.6,r4=0.95;T1=T2=T4=0,T3=0.2。设小信号增益系数为阈值增益系数的3倍,中心频率附近的光波在腔内以逆时针方向传播。如中心频率饱和光强Is=5W/cm2,求输出光强。
第11题
一个环形激光器,其结构参数如下图所示,四块反射镜的反射率分别为r1=0.96,r2=0.8,r3=0.97,r4=0.98;T1=T3=T4=0,T2=0.2。受激辐射跃迁的上能级E2=3.2eV,能级寿命为1.54ms,中心频率发射截面为2×10-20cm2,跃迁中心波长为760nm。从基态直接泵浦到E2的泵浦速率为R02,若下能级寿命近似为0。现假定光波在腔内以逆时针方向传播,试求: