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[主观题]

放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答: (1)调整Rb1为何值时,才能使两管的集电极静态

放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β12=60,试解答:

(1)调整Rb1为何值时,才能使两管的集电极静态电流IC1=IC2

(2)计算放大电路的输入电阻Ri

(3)计算电压放大倍数放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答:  (1)调整Rb1为何值

提示:T2,Re2,Rb2和Rb3组成电流源,取代T1管的集电极电阻,即IC2为恒定值。

放大电路如下图所示,T1管为硅管,T2管为锗管,β1=β2=60,试解答:  (1)调整Rb1为何值

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第1题

共集电路如下图所示,硅管的β=49,rbe=0.9kΩ,试解答: (1)求出输入电阻Ri; (2)算出电压放大倍数和。

共集电路如下图所示,硅管的β=49,rbe=0.9kΩ,试解答:

(1)求出输入电阻Ri

(2)算出电压放大倍数

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第2题

若在上题图所示差分放大电路中以T1管的集电极对地作为输出,参数与上题相同,试回答上题所提出的两个问题;若

若在上题图所示差分放大电路中以T1管的集电极对地作为输出,参数与上题相同,试回答上题所提出的两个问题;若以T2管的集电极对地作为输出,Ad将有何变化?

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第3题

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所

一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2,VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管,β=100,所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av

计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。

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第4题

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

V管和VT管组成的混合放大电路如下图所示,已知gmRE1、β1。试:

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第5题

判断下图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。

判断下图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。

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第6题

电路如下图所示,VCC=15V,设VT4、VT5管的饱和压降可以忽略,RF=3.8kΩ,R1=200Ω。问:

电路如下图所示,VCC=15V,设VT4、VT5管的饱和压降可以忽略,RF=3.8kΩ,R1=200Ω。问:

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第7题

逻辑图和输入A,B的波形如下图所示,输出F为“1”的时刻,应是()。

A.t2和t3

B.t1和t2

C.t3和t2

D.t1 、t2 、t3

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第8题

判断图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。

判断图所示电路中,哪个电流表的读数大?哪个电流表的读数小?为什么?(D1为硅管,D2为锗管)。

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第9题

放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V,则该三极管是()。
放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V,则该三极管是()。

放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V,则该三极管是()。

A.PNP锗管

B.PNP硅管

C.NPN锗管

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第10题

一均匀加宽、高增益环形激光器,其结构如下图所示,四块反射镜的反射率分别为r1=0.9,r2=0.7,r3=0.6,r4=0.95;T1

一均匀加宽、高增益环形激光器,其结构如下图所示,四块反射镜的反射率分别为r1=0.9,r2=0.7,r3=0.6,r4=0.95;T1=T2=T4=0,T3=0.2。设小信号增益系数为阈值增益系数的3倍,中心频率附近的光波在腔内以逆时针方向传播。如中心频率饱和光强Is=5W/cm2,求输出光强。

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第11题

一个环形激光器,其结构参数如下图所示,四块反射镜的反射率分别为r1=0.96,r2=0.8,r3=0.97,r4=0.98;T1=T3=T4=

一个环形激光器,其结构参数如下图所示,四块反射镜的反射率分别为r1=0.96,r2=0.8,r3=0.97,r4=0.98;T1=T3=T4=0,T2=0.2。受激辐射跃迁的上能级E2=3.2eV,能级寿命为1.54ms,中心频率发射截面为2×10-20cm2,跃迁中心波长为760nm。从基态直接泵浦到E2的泵浦速率为R02,若下能级寿命近似为0。现假定光波在腔内以逆时针方向传播,试求:

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