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[主观题]

图题8.15所示为采用共基电路构成的双失谐回路鉴频器,试说明图中谐振回路Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ应该如何调谐?分析该电路的鉴

频特性。

图题8.15所示为采用共基电路构成的双失谐回路鉴频器,试说明图中谐振回路Ⅰ、Ⅱ和Ⅲ应该如何调谐?分析

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第1题

图题8.7所示2的补码双极性DAC电路中,D3为符号位,VOFF为偏移电源,ROFF为偏移电阻,试分析电路,确定VOFF和ROFF

图题8.7所示2的补码双极性DAC电路中,D3为符号位,VOFF为偏移电源,ROFF为偏移电阻,试分析电路,确定VOFF和ROFF的值。

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第2题

图题7.28所示电路中,VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb,与集一基结电容上ucb(t)的关系为:C

图题7.28所示电路中,VT2、VT3为VT1提供恒定偏置电流。VT1集-基结电容为Ccb,与集一基结电容上ucb(t)的关系为:Ccb=kcucb(t)-0.5。(1)试求输出电压uo(t)的瞬时角频率表达式;(2)若C1=5pF,C2=100pF,L=1uH,VCC=10V,kc=1.75pF/V,uΩ(t)=cos(103t) (V),试写出uo(t)的表达式。

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第3题

10.7.(1) 如果将教材图10.6.1所示电路中的放大电路改用下述放大电路能否满足自励振荡的条件:(a)一级共射放

10.7.(1) 如果将教材图10.6.1所示电路中的放大电路改用下述放大电路能否满足自励振荡的条件:(a)一级共射放大电路;(b)一级共集放大电路;(c)一级共基放大电路。

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第4题

某接口需占用4个I/O接口地址,假设为2F0H~2F3H,则相应的地址译码部分电路如图8-12所示。 图8-12中,地址A9~

某接口需占用4个I/O接口地址,假设为2F0H~2F3H,则相应的地址译码部分电路如图8-12所示。

图8-12中,地址A9~A2为如图组合时,端输出低电平(AEN必须为低电平),地址依次为:10111100,共8位。把A1、A0附在最后构成10位地址如下。

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第5题

如题8.15图所示的复合系统,其中两个二阶子系统的动态方程为,对子系统a:

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第6题

如题8.15图所示的复合系统,其中两个二阶子系统的动态方程为对子系统a ,, ya(k)=Caxa(k),Ca=[1 0] 对子

如题8.15图所示的复合系统,其中两个二阶子系统的动态方程为对子系统a

ya(k)=Caxa(k),Ca=[1 0]

对子系统b

xb(k+1)=Abxb(k)+Bbfb(k),

yb(k)=Cbxb(k),Cb=[0 1]

求该复合系统的状态方程和输出方程。

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第7题

图题8.4所示D/A转换器,分析该DAC电路,试确定输出最大幅度为UREF,反馈电阻RF的数值。

图题8.4所示D/A转换器,分析该DAC电路,试确定输出最大幅度为UREF,反馈电阻RF的数值。

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第8题

题A-63图所示为复合管差动放大电路,每个晶体管的参数相同:β=100,rab=0,当Ui=10mV时,求Uo=?

题A-63图所示为复合管差动放大电路,每个晶体管的参数相同:β=100,rab=0,当Ui=10mV时,求Uo=?

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第9题

在图4-24所示电路中,已知由晶体管等效电路所构成的二端口网络混合参数矩阵为 如果激励源电压=10mV,内阻

在图4-24所示电路中,已知由晶体管等效电路所构成的二端口网络混合参数矩阵为

如果激励源电压=10mV,内阻抗Zs=1kΩ,负载导纳YL=10-3s,试求负载端电压

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第10题

由双T网络和运放构成的带阻滤波电路如下图所示,其传输表达式为 ,, 若C=15nf,R=10kΩ,R1=10kΩ,RF=5kΩ,输

由双T网络和运放构成的带阻滤波电路如下图所示,其传输表达式为

若C=15nf,R=10kΩ,R1=10kΩ,RF=5kΩ,输入信号为vi=10[cos(2π×1.1×103t)+COS(2π×104t)]mV,求输出vo=?

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第11题

为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用______。 A.共射放大电路 B.共集放大电路 C.共基放大电路

为增大电压放大倍数,集成运放的中间级多采用______。

A.共射放大电路 B.共集放大电路

C.共基放大电路

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