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[主观题]

在面积为1的正方形中均匀地选取一点,设正方形的顶点为(0,0),(0,1),(1,0),(1,1),令X和Y表示被选取点的坐标.

在面积为1的正方形中均匀地选取一点,设正方形的顶点为(0,0),(0,1),(1,0),(1,1),令X和Y表示被选取点的坐标.求:(1)X和Y的边缘概率密度;(2)(X,Y)到正方形中心的距离大于1/4的概率.

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第1题

设一均匀磁场沿x轴正方向,其磁感应强度值B=1Wb/m2.求在下列情况下,穿过面积为2m2的平面的磁通量.

设一均匀磁场沿x轴正方向,其磁感应强度值B=1Wb/m2.求在下列情况下,穿过面积为2m2的平面的磁通量.

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第2题

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证明:(1)周长一定的矩形中,正方形的面积最大; (2)面积一定的矩形中,正方形的周长最小。

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第3题

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如图所示为一个位于空气中的投影系统,物镜的垂轴放大率ρ=-20×,像高y'=A'B'为100mm,物镜像方孔径角μ'1=0.01,像距l'1=1000mm,灯丝在聚光镜左面30mm处,聚光镜与物镜之间距离为60mm,物面在物镜左面50mm处,且位于均匀照明区(即光源上一点照明整个物面,物面上一点受到整个光源照射)。试求:

注:1—物镜 2—聚光镜

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第4题

如图(1)所示,一边长为a的正方形单匝导线框,以速度v把这线框拉过宽度为d的匀强磁场区域.设磁感应强度B的方向

如图(1)所示,一边长为a的正方形单匝导线框,以速度v把这线框拉过宽度为d的匀强磁场区域.设磁感应强度B的方向垂直纸面向外.以线框右边刚好进入磁场区为计时起点,则框中的感应电动势与时间的函数关系如图(2)中各图所示,其中正确的是(设取顺时针为正)( ).

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第5题

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设y=ax与y=x2围成图形的面积为S1,它们与x=1围成图形的面积为S2,且a<1,

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第6题

电阻为20mΩ、边长为20cm的正方形线圈,线圈平面与匀强磁场方向垂直,磁感应强度大小为2.0T.如果在线圈的相对两
边拉线圈,则另两相对边将自动相互靠近以致线圈面积逐渐减小.设线圈面积在0.20s时间内减小到零,试求:

(1)线圈中的平均感应电动势;

(2)线圈中的平均感应电流.

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第7题

有一倾斜压力计如图所示,左边大容器的截面积为A,右边与其相通的倾斜细管的截面积为A1,而A1/A=1/100,当大容

有一倾斜压力计如图所示,左边大容器的截面积为A,右边与其相通的倾斜细管的截面积为A1,而A1/A=1/100,当大容器内液面的压力增大时,测得细管中的液面变化距离为L,设液体的密度为ρ=790kg/m3,细管的倾斜角为α,求压强p0的表达式。

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第8题

设平面的一个仿射变换σ使直线l上的每一点都不动,σ(M)=M'.且点M和它的像点M'的M'线MM'∥l,这

设平面的一个仿射变换σ使直线l上的每一点都不动,σ(M)=M'.且点M和它的像点M'的M'线MM'∥l,这时称σ为错切,称l为错切轴,证明:在适当选取的仿射坐标系中,错切的公式为,并且证明错切不改变图形的面积。

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第9题

设棒状光电导体长为l,截面积为S,在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm3·s,若在棒两端施加电压V,试证光

设棒状光电导体长为l,截面积为S,在光照下棒内均匀产生电子—空穴对数为Q/cm3·s,若在棒两端施加电压V,试证光生电流与总电流之比为

式中b=μnp·n0为平衡导带电子浓度。设光生载流子寿命τnp=10-4s·Q=1014cm-3,估计300K下硅单晶的△I/I比值。

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第10题

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如图所示为一几何不可变的内压式超音速进气道。其进口面积为Ai,设计飞行马赫数Mad为1.66,喉道面积At的取值使在设计飞行状态下喉道为音速流动。现为使这个进气道起动,即令进气道吞入其进口前的正激波,采用飞行加速法。问飞行至少加速到多大马赫数Mastort时,激波才可吞入?设除激波有总压恢复系数σ(Ma)以外流动是等熵的。气动函数见下表,不必插值计算。

来流Maσ(Ma)q(Ma)
1.400.95820.8969
1.660.87200.7686
2.120.664920.53505
2.420.531750.40852

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第11题

如图所示两容器间有薄壁小孔相通,容器A的水面面积为Ω1=3m2,容器B的水面面积为Ω2=5m2,孔口面积为A=50cm2,向

如图所示两容器间有薄壁小孔相通,容器A的水面面积为Ω1=3m2,容器B的水面面积为Ω2=5m2,孔口面积为A=50cm2,向容器A加入的液体经孔口流入容器B。当两容器间的液位差H1=4m时,即停止向容器A加入液体。设孔口的流量系数μ=0.60,求两容器间的液位差H2=1m时所需的时间T。

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