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[主观题]
下图所示分压式偏置稳定电路中，忽略晶体管的rbb'，试分析以下问题：
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下图所示分压式偏置稳定电路中，忽略晶体管的rbb'，试分析以下问题：
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更多“下图所示分压式偏置稳定电路中，忽略晶体管的rbb'，试分析以下问题：”相关的问题
第1题
在下图所示差分电路中，已知u1=360cos(2π×106t)mV，u2=10cos(2π×103t)mV，VCC=VEE=10V，RE=10kΩ，晶体管的β很大，UBE(on)可忽略，试用开关函数求iC=iC1-iC2的关系式。
第3题
放大电路如下图(a)所示，已知晶体管的fT=200MHz，Cb'e=5pF，rbb'=50Ω，re=5Ω，β0=50，略去基极偏置电阻RB1、RB2的影响，试求该电路的Aus0、fH和G·BW。
第4题
在教材图15.9.10所示的自给偏压偏置电路中，电阻RG起何作用？如果在RG=0(短路)和RG=∞(开路)两种情况下，则后果如何？在教材图15.9.11所示的分压式偏置电路中，RG又起何作用？
第5题
下图所示电路中，运算放大器为理想的，Rw为电位器。试证明ab间的等效电容Cab=(1-k)C，式中k为电位器Rw的分压系数。
第6题
在下图所示的理想运放电路中，已知vi=2sin200πt(V)，运放动态范围为±10V，稳压管正向压降可忽略，试分别画出vo1和vo随时间t变化的波形示意图。
第8题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第10题
电路如下图所示，VCC=15V，设VT4、VT5管的饱和压降可以忽略，RF=3.8kΩ，R1=200Ω。问：
第11题
由两只乙类对称功率放大器组成的桥式功率放大电路如下图所示，图中四只三极管特性相同，同时利用R1和R2的分压，使B(B')点电位等于VCC/2，试分析电路工作原理并求出RL=10Ω时最大不失真输出功率Pom。
