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（请给出正确答案）
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图(b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc=100mS，已知VBB=0.5V，us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
答案
更多“晶体管平均包络检波电路如下图（a)所示，C为滤波电容，R为检波负载电阻，图（b)所示为晶体管的转移特性，其斜率gc”相关的问题
第1题
电路如下图所示。已知C=150pF，RL=1kΩ，L=780μH，线圈匝数如图所示。晶体管的rce=10kΩ，Cμ=20pF。回路品质因数Qo=100。求：
第2题
电路如下图所示。已知晶体管VT1～VT3特性相同，集电极电流
第3题
下图所示电路中，u1(t)=U1mcos(ωct)，u2(t)=U2msin(ωct+φ)，则该电路所实现的功能是( )。
A．包络检波 B．同步检波 C．鉴相
第5题
下图所示电路中，设所有晶体管的β均为30，VT3和VT4的rbe=2.5kΩ，场效应管的gm=4mS，其他参数如图中所示，图中所有电位器的滑动端均在中间位置。试：
第6题
计算下图(a)、(b)所示两个差分电路中VT2的静态工作点(VCEQ，ICQ)和FET的工作点(VDSQ，IDQ)。已知双极型晶体管为硅管，β=100，场效应管的工艺参数k=0.5mA/V2，VP=-2V。
第7题
一个两级放大器如下图所示。已知场效应管VT1的工艺参数k=0.125mA/V2，VP=-4V。双极型晶体管VT2为硅管，β=100，所有电容容抗可以忽略不计。求输入电阻Ri、输出电阻Ro和总电压放大倍数Av。
计算本题应注意后一级的输入电阻对前一级的负载作用。
第9题
分析下图所示整流电路的结构特点，计算输出电压uO1和uO2的值及流过每只二极管的平均电流。
