题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
设沿位错每隔长度有一个割阶,外力场在滑移面滑移方向的分切应力为,求位错在室温(约300K)下的滑移速度。b=0.n
设沿位错每隔长度有一个割阶,外力场在滑移面滑移方向的分切应力为,求位错在室温(约300K)下的滑移速度。b=0.nm,自扩散系数。
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设沿位错每隔长度有一个割阶,外力场在滑移面滑移方向的分切应力为,求位错在室温(约300K)下的滑移速度。b=0.nm,自扩散系数。
第1题
若两位错的相对位置如图所示,
问外力场的哪一个应力分量能使两位错在各自滑移面上滑移?问要附加多大的切应力才能使两个位错相对滑过?,两滑移面相距h=20nm,b=0.35nm,ν=0.3。
第2题
第3题
位错线“包含”约10个原子,沿位错线的扩散系数,估计晶体的位错密度ρ,以点阵常数a为单位表示。
第4题
晶体中,在滑移面上有一对平行刃位错,它们的间距该多大才不致在它们的交互作用下发生移动?设位错的滑移阻力(切应力)为(答案以6表示)
第6题
第7题
为了防止硬母线因热胀冷缩产生变形而损坏设备,沿母线长度方向每隔()应装设一个(),通常采用()厚的、铜母线相同材料的薄片组装,组装后的总截面积不应小于母线截面积的()。
第9题
力场F={yz,一2xz,2xy}沿曲面
与平而y—z=0的交线自A(a,0,0)到点B(一a,0,0)所作的功为_____.
第10题
设使位错滑移需要克服的阻力(切应力)对铜为,对3%Si-Fe合金为,铜、3%Si-Fe合金的切变模量G分别是以及。
问它们在表面的低位错密度层有多厚?点阵常数。