射极偏置电路如图题5.4.3所示,已知β=60。(1)用估算法求Q点;(2)求输入电阻rbe;(3)用小信号模
型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问基极上偏流电阻Rb1为多大?
型分析法求电压增益Av;(4)电路其他参数不变,如果要使VCEQ=4V,问基极上偏流电阻Rb1为多大?
第1题
如图5.4.3所示电路,t<0时电路处于稳态,t=0时开关打开。求开关打开后i(t)和u(t)。
第3题
由PNP锗管组成的共射放大电路如图2.3.16(a)所示,已知饱和压降UCES=-0.2V,穿透电流ICEO忽略不计,其他参数如图所示。试计算静态工作点、电压放大倍数、输入和输出电阻、最大不失真输出幅度。
第4题
在图(a)所示电路中,已知MOS管的漏极特性如图(b)所示。试分析当uI分别为3V,8V,12V时,该管处于什么状态。
第5题
集成DAC器件AD7520电路如图题8.6所示,其应用电路如图题8.9所示。已知AD7520参数:电源电压为+5V~+15V,分辨率为10位,稳定时间为500ns。为得到±5V的最大输出模拟电压,试确定基准电压VREF、偏移电压VB及偏移电阻RB,并列出高三位(含符号位)输入输出对照表。
第6题
电路如图题6.2.9所示,输入信号电压,当电路中T1~T4参数已知gm1=gm2,gm3=gm4,rds1=rds2,rds3=rds4,证明电路的电压增益为
第7题
如图题5.17所示的差分电路中,已知u1(t)=360cos(2π×105t)(mV),u2(t)=10cos(2π×103t)(mV),VCC=VEE=10V,REE=10kΩ,晶体管的β很大,UBE(on)可忽略。试用开关函数求iC(t)=iC1(t)-iC2(t)的关系式。
第8题
电路如图题2.35所示,已知L1=L2=100uH,R1=R2=5Ω,M=1uH,ω01=ω02=107rad/s,电路处于全谐振状态。试求:(1)a、b两端的等效谐振阻抗;(2)耦合因数;(3)耦合回路的通频带。
第10题
电路如图题10.3.1所示,当电路中负载IO和电感L较小时,试分析在整个开关周期T电感电流iL有断流条件下的工作特性,当vB的波形和VI已知时,画出vB、iL、vE和vO的波形。
第11题
反相(反极性)型开关稳压电路的主回路如图题10.3.3所示,已知V1=12V,VO=-15V,控制电压vG为矩形波,电路中L、C为储能元件,D为续流二极管。(1)试分析电路的工作原理;(2)已知VI的大小和vG的波形,画出在vG作用,以及整个开关周期iL连续情况下,vD、vDS、vL、iL和vO的波形,并说明vO和vI极性相反。