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[主观题]

PN结的结电容在正向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,反向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,在变

PN结的结电容在正向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,反向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,在变容二极管中主要利用PN结的(A.势垒,B.扩散)电容。PN结存在的结电容对电子器件的高频运用(A.有利,B.不利)。

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更多“PN结的结电容在正向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,反向运用时以(A.势垒,B.扩散)电容为主,在变”相关的问题

第1题

PN结的电容效应用()电容和()电容等效A、传输B、势垒C、扩散

A.A.传输

B.B.势垒

C.C.扩散

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第2题

测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下 VR(V) 0 0.5 1

测得GaP材料制成的p+n结的势垒电容CT和反向电压VR的关系如下

VR(V)

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

CT(pF)

20

17.3

15.6

14.3

13.3

12.4

11.6

pn结面积A=4×10-4cm2,试求该p+n结的内建电场VD和ND

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第3题

变容二极管在电路中使用时,其PN结是()。A、正向运用B、反向运用C、不确定

A.正向运用

B.反向运用

C.不确定

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第4题

当PN结正向偏置时,电子与空穴在有源区的复合分为( )。

A.陷阱复合

B.缺陷复合

C.表面复合

D.俄歇复合

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第5题

对于一只硅的n+p结,若xp=0.2μm,Ln=200μm,NA=1015cm-3,ni=1.5×1010cm-3,求室温时、80℃时,在多大电压下势垒复

对于一只硅的n+p结,若xp=0.2μm,Ln=200μm,NA=1015cm-3,ni=1.5×1010cm-3,求室温时、80℃时,在多大电压下势垒复合电流为主?

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第6题

设PN结电容Cj与反向电压uR之间的关系为。将它与振荡器的LC回路并联,PN结的偏置电压为U0=4V,载波频率fc=1.2MH

设PN结电容Cj与反向电压uR之间的关系为。将它与振荡器的LC回路并联,PN结的偏置电压为U0=4V,载波频率fc=1.2MHz。(1)计算每单位调制电压所引起的频偏,即系数kf;(2)若要求实际频率变化规律与理想的线性频率变化规律之间的误差小于1%,试问最大频偏不能超过多少?

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第7题

二极管加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。()
二极管加正向电压时,PN结变窄,正向电流较大,正向电阻较小,PN结处于导通状态。()

A.错误

B.正确

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第8题

PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。()
PN结加正向电压时,空间电荷区将变宽。()

A.正确

B.错误

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第9题

PN结加正向电压时,空间电荷区将()。
PN结加正向电压时,空间电荷区将()。

A.基本不变

B.变窄

C.变宽

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第10题

PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。()
PN结加正向电压时,空间电荷区将变窄。()

A.错误

B.正确

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第11题

当PN结正向偏置时,电子与空穴在有源区的复合分为______、______和______。
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