降低冲击电子流的电压,会使分子离子峰的相对强度增加。( )
第1题
A . 质量数最大的峰为分子离子峰
B . 强度最大的峰为分子离子峰
C . 质量数第二大的峰为分子离子峰
D . 降低电离室的轰击能量,强度增加的峰为分子离子峰
第2题
A.用FAB源使化合物离子化
B.用CI源使化合物离子化
C.适当提高EI源的轰击电子电压
D.用衍生化的方法提高样品的挥发性
第3题
质谱图上m/z最大的峰为分子离子峰。( )
第4题
第5题
A.分子离子峰为基峰
B.分子离子峰为M-OH
C.分子离子峰为M-CO
D.分子离子峰为M-2OH
E.分子离子峰为M-2CO
第6题
A.m/z77
B.m/z91
C.m/z105
D.m/z119
第7题
链烯有较强的分子离子峰,易生成质量数相差14的CnH2n-1碎片离子峰。
第8题
A.质量数最大的峰为分子离子峰
B.强度最大的峰为分子离子峰
C.质量数第二大的峰为分子离子峰
D.上述三种说法均不正确
第9题
A、强度弱
B、无法获得
C、强度强
D、不存在
第10题
A.处于质谱图最右端的峰一定是分子离子峰
B.不含氮的有机化合物其分子离子峰一定是偶数
C.含偶数个氮的有机化合物其分子离子峰一定是偶数
D.分子离子峰可用于推断化合物的分子式
第11题
A.正确
B.错误
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