三极管电路如图所示,忽略三极管的发射结电压,根据图中参数可判断三极管工作在()
A放大区
B饱和区
C截止区
D击穿区
A放大区
B饱和区
C截止区
D击穿区
第1题
某权电流型DAC的原理图如图所示,试分析其工作原理。其中,采用多发射极晶体管(VT3~VT0)保证所有三极管的发射结压降相等,采用倒T形电阻网络产生所需的恒流源;偏置电流IBO的作用是为VTR、VTC、VT3~VT0提供必要的基极偏置电流。
第2题
间接调频电路如图所示,放大器ICQ=2mA,忽略三极管输入、输出阻抗影响。L和Cj均为无损耗,已知RC=4.7kΩ,变容管参数n=3,VB=0.7,Cj0=5000pF,输入电压vi(t)=10cos5×108t(mV),vΩ(t)=0.2cos104。t(V)。要求:
第3题
在如图所示的差分对调制电路中,vc(t)=500cosωctmV,vΩ(t)=5cosΩtmV,其中ωc=2π×5×106rad/s,Ω=2π×103rad/s。假设回路电阻RL=5kΩ,中心频率为ωo=10π×106rad/s,通频带为BW=2Ω,三极管的β很大,备管的基极电流可忽略,且设三极管的VBE(on)≈0。求:输出电压vo(t)表达式。
第4题
在图(a)所示电路中,已知三极管发射结正偏时Uon=0.7V,深度饱和时其管压降UCES=0V,β=60°
第5题
A.发射结正偏
B.集电结反偏
C.管子工作在放大区
D.发射结反偏
E.集电结正偏
第6题
如图所示为三极管时域微分鉴频电路,图中电容CD和共基三极管放大器Q的输入阻抗re构成微分电路,RLC为低通滤波器,二极管D作为信号源vS的平衡负载。已知vS(t)=VSMsin(ωct+jfsinΩt),试求输出电压vAV的表达式。
第7题
如图所示电路中,三极管Q的转移特性为,设回路的谐振阻抗为RL。试写出下列三种情况下,电路的功能以及输出电压vo的表达式(iC展开式只考虑到二次方项)。
第8题
为了保证三极管工作在放大区,必须使三极管的发射结_____________偏置,集电结
_________偏置。