电路如下图(a)所示,非线性电阻元件R的伏安特性如图(b)所示,试求IR和UR?
电路如下图(a)所示,非线性电阻元件R的伏安特性如图(b)所示,试求IR和UR?
电路如下图(a)所示,非线性电阻元件R的伏安特性如图(b)所示,试求IR和UR?
第1题
在附图-8所示电路中,非线性电阻元件特性的表达式为,i、u的单位分别为A、V,并设us=25V,Δus=sintV,R=2Ω。试用小信号分析法求电流I。
第2题
电路如图11.3.7所示,非线性电阻元件特性的表达式为,i、u的单位分别为A、V,并设uS=25V,ΔuS=0.15sin(ωt+30°)V,R=2Ω。试用小信号分析法求电流i。
第3题
电路如图11.3.6所示,非线性电阻元件特性的表达式为i=2u2(u>0),i、u的单位分别为A、V,并设iS=10A,ΔiS=sinωtA,R1=1Ω。试用小信号分析法求非线性电阻元件的端电压u。
第5题
在下图所示的电路中,R=20Ω,ωL=5Ω,1/(ωC)=45Ω,,现欲使电流i中含有尽可能大的基波分量,Z应是()元件。
A.电阻
B.电感
C.电容
第6题
电路如下图所示。已知晶体管VT1~VT3特性相同,集电极电流,电阻比RF/R=n。求开关S在位置1和2时的输出uo。
第7题
晶体管平均包络检波电路如下图(a)所示,C为滤波电容,R为检波负载电阻,图(b)所示为晶体管的转移特性,其斜率gc=100mS,已知VBB=0.5V,us(t)=0.2[1+0.5cos(Ωt)]cos(ωct)V。
第8题
如图(a)所示电路中,直流电压源Us=3.5V,R=1Ω,非线性电阻的伏安特性曲线如图(b)所示。
第9题
如图11.4.3所示,非线性电阻元件特性的表达式为u=(1/5)i3-2i,i、u的单位分别为A、V,并设uS=25V,△uS=sintV,R=2Ω,试用小信号分析法求电流i。
第10题
第11题
在附图-4所示电路中,us=2V,R1=R2=2Ω,非线性电阻元件的特性用;表示i、u的单位分别为A、V。试用图解法求非线性电阻元件的端电压u3和电流i3,进而求出电流i1和i2。