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[主观题]

下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（)。

A.GTR

B.MOSFET

C.IGBT

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发布时间：2022-12-06

更多“下列半导体器件中属于电流型控制器件的是（)。”相关的问题

第1题

GTR为电流型控制器件，用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件，用栅极电压来控制漏极电流。因此，其对驱动电路的要求不同。

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第2题

电流型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。（)

电流型逆变电路，为了反馈感性负载上的无功能量，必须在电力开关器件上反并联反馈二极管。()

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第3题

采用半控型器件的电流型逆变电路，有的采用______，有的采用______。

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第4题

半导体三极管是（)控制器件，场效应管是（)控制器件。

A.电流

B.电压

C.电阻

D.频率

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第5题

下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（)。

A.SIT

B.GTR

C.IGBT

D.P-MOSFET

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第6题

比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（)。

A.GTO

B.GTR

C.MOSFET

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第7题

半导体三极管是一种电流控制器件，即用一个小的基极电流信号去控制集电极的大电流信号。（)

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第8题

某金属与均匀掺杂的n－Si材料接触，组成肖特基势垒二极管，已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV，ND=5×1016cm－3，

某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触，组成肖特基势垒二极管，已知半导体一边的势垒高度qV_D=0.6eV，N_D=5×10¹⁶cm^-3，试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中最大电场及单位面积的势垒电容，并做出该器件的1/C²与(V_D-V)的关系曲线。

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第9题

下列选项有关功率半导体器件的工作特点,不正确的描述是()。

A.功率半导体器件处于开关状态

B.导通管压降低

C.漏电流很大

D.管子导通时，相当于短路

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第10题

下列光源为固体发光光源的是( )。

A.霓虹灯

B.场致发光灯

C.白炽灯

D.半导体发光器件

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第11题

下列光源为气体放电发光光源的是( )。

A.半导体发光器件

B.氖灯

C.金属卤化物灯

D.氙灯

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