题目内容
(请给出正确答案)
[主观题]
霍尔器件是一种采用半导体材料制成的()器件。
A、磁电转换
B、光电转换
C、压电转换
D、温度转换
答案
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A、磁电转换
B、光电转换
C、压电转换
D、温度转换
第1题
第2题
下图是两个晶体管的非完整符号。根据图中所给出的数据和电流方向,判断VT1和VT2器件类型分别为______型和______型。半导体材料分别为______和______制成。电流放大系数β分别为______和______。
第9题
A、错误
B、正确
第10题
某金属与均匀掺杂的n-Si材料接触,组成肖特基势垒二极管,已知半导体一边的势垒高度qVD=0.6eV,ND=5×1016cm-3,试求在5V反偏电压下的空间电荷区厚度、界面处半导体中最大电场及单位面积的势垒电容,并做出该器件的1/C2与(VD-V)的关系曲线。